4324185 |
M27C1001-10F1. микросхема памяти CDIP32 |
|
шт |
10 |
|
600.00 |
4-6 дней |
|
STM |
1шт: 451.00
|
|
|
2297902 |
M3004LAB1 |
|
|
1 |
|
|
от 3 дней |
DIP20300 |
ST |
1шт: 103.37
6шт : 103.37 33шт : 103.37 135шт : 103.37 349шт : 103.37
|
|
|
4015285 |
M48Z58Y-70PC1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
по запросу
|
Подробнее |
2297919 |
M491BB1 |
|
|
9 |
|
|
от 3 дней |
DIP40 |
ST |
1шт: 448.78
2шт : 448.78 9шт : 448.78 36шт : 448.78 81шт : 448.78
|
|
|
3627596 |
M93C46-WMN6TP |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3626372 |
M93C76-WMN6TP |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3630926 |
M93C86-WMN6TP |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
4301428 |
M95080-WMN6TP. SO-8 |
|
шт |
20 |
|
24.00 |
4-6 дней |
|
STM |
1шт: 59.40
|
|
|
3639203 |
M95256-RMN6TP |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3627120 |
M95256-WMN6TP |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
4265561 |
M95256-WMN6TP |
|
шт |
30 |
|
1000.00 |
4-6 дней |
|
STM |
1шт: 105.60
|
|
|
4271747 |
M95256-WMN6TP. [SO8] Энергонезависимая память |
|
шт |
30 |
|
1000.00 |
4-6 дней |
|
STM |
1шт: 37.40
|
|
|
4277007 |
M95256-WMN6TP. Память EEPROM ST Microelectronics. 2.5 В/5.5 В. 20 МГц. корпус SOIC-8 |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
ST Microelectronics |
1шт: 41.48
|
|
|
4311997 |
M95256-WMN6TP. Память EEPROM ST Microelectronics. 2.5 В/5.5 В. 20 МГц. корпус SOIC-8 M95256-WMN6TP |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
ST Microelectronics |
1шт: 36.87
|
|
|
4263038 |
M95640-WMN6P. Энергонезависимая память. SPI. 64Кбит SO-8 |
|
шт |
5 |
|
45.00 |
4-6 дней |
|
STM |
1шт: 242.00
|
|
|
4256474 |
M95640-WMN6TP. [SO8] Энергонезависимая память |
|
шт |
80 |
|
25.00 |
4-6 дней |
|
STM |
1шт: 286.00
|
|
|
4279564 |
M95M01-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 1Мбит. SPI. корпус SOIC-8 |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
ST Microelectronics |
1шт: 74.41
|
|
|
4311998 |
M95M01-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 1Мбит. SPI. корпус SOIC-8 M95M01-RMN6TP |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
ST Microelectronics |
1шт: 74.41
|
|
|
4279565 |
M95M02-DRMN6TP. Память EEPROM ST Microelectronics. 2Мбит. 5МГц. корпус SOIC-8 |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
ST Microelectronics |
1шт: 188.52
|
|
|
4311999 |
M95M02-DRMN6TP. Память EEPROM ST Microelectronics. 2Мбит. 5МГц. корпус SOIC-8 M95M02-DRMN6TP |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
ST Microelectronics |
1шт: 188.52
|
|
|
4254108 |
MAX232ESE. [SOP-16]; RS232 ICs ROH;=MAX232ESE(ADI) |
|
шт |
20 |
|
800.00 |
4-6 дней |
|
UMW |
1шт: 70.40
|
|
|
4266372 |
MAX3485ED. [SOP-8]; RS-485/RS-422 |
|
шт |
30 |
|
2500.00 |
4-6 дней |
|
HTC Taejin |
1шт: 41.80
|
|
|
4254109 |
MAX485ESA. [SOP-8]; RS-485/RS-422 ICs ROHS;=MAX485ESA(ADI) |
|
шт |
20 |
|
9000.00 |
4-6 дней |
|
UMW |
1шт: 14.30
|
|
|
4254110 |
MAX809T. [SOT-23]; Monitors & Reset Circuits ROHS;=MAX809T(ON);=MAX809T(ADI) |
|
шт |
20 |
|
3000.00 |
4-6 дней |
|
UMW |
1шт: 8.80
|
|
|
4254111 |
MOC3062M. [DIP-6]; Optocouplers - Thyristor Signal Output ROHS;=MOC3062M(ON); |
|
шт |
20 |
|
6500.00 |
4-6 дней |
|
UMW |
1шт: 19.80
|
|
|
4317877 |
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E. микросхема памяти Micron Technology. флэш-память NAND. SLC. 2 Гбит. корпус TSOP-48 MT29F2G08ABAEAWP-IT:E |
|
|
|
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E - флэш-память, ячейки И-НЕ, параллельная, электропитание 3.3 В, 2 Гбит - 256 Mбитx8, 48-Pin, корпус TSOP-48. |
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 220.17
|
|
|
4265721 |
MT29F8G08ABACAWP-IT:C. Микросхема памяти Micron Technology. NAND Flash 8 Gb. 1G X 8. корпус TSOP-48 |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 439.27
|
|
|
4312040 |
MT29F8G08ABACAWP-IT:C. Микросхема памяти Micron Technology. NAND Flash 8 Gb. 1G X 8. корпус TSOP-48 MT29F8G08ABACAWP-IT:C |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 396.89
|
|
|
4265722 |
MT41K256M16TW-107 IT:P. Микросхема памяти Micron Technology. SDRAM DDR3L 4Gb. 256 M x 16. корпус FBGA-96 |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 202.13
|
|
|
4312041 |
MT41K256M16TW-107 IT:P. Микросхема памяти Micron Technology. SDRAM DDR3L 4Gb. 256 M x 16. корпус FBGA-96 MT41K256M16TW-107 IT:P |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 131.83
|
|
|
4329216 |
MT47H128M16RT-25E IT:C. Динамическое ОЗУ Micron Technology. DDR2. 2Гбит. 2.5нС. корпус FBGA-84(9x12.5) MT47H128M16RT-25E IT:C |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 853.55
|
|
|
4317879 |
MT47H128M16RT-25E:C. микросхема памяти Micron Technology MT47H128M16RT-25E:C |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 818.41
|
|
|
4265723 |
MT47H64M16NF-25E IT:M. Микросхема памяти Micron Technology. SDRAM DDR2 1Gb. 64 M x 16. корпус FBGA-84 |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 273.48
|
|
|
4312042 |
MT47H64M16NF-25E IT:M. Микросхема памяти Micron Technology. SDRAM DDR2 1Gb. 64 M x 16. корпус FBGA-84 MT47H64M16NF-25E IT:M |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 206.78
|
|
|
4317880 |
MT48LC16M16A2P-6A IT:G. микросхема памяти Micron Technology MT48LC16M16A2P-6A IT:G |
|
|
|
|
|
3-5 дней |
|
Micron Technology |
1шт: 338.04
|
|
|
4301612 |
MT48LC16M16A2P-6AIT:GTR. микросхема памяти 54-TSOP II |
|
шт |
3 |
|
23.00 |
4-6 дней |
|
Micron |
1шт: 396.00
|
|
|
3641546 |
MX25L12835FM2I-10G |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3631844 |
MX25L1606EM2I-12G |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3632649 |
MX25L25635FZ2I-10G |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
4335447 |
MX25L25645GM2I-08G TR. SO8W |
|
шт |
15 |
|
54.00 |
4-6 дней |
|
Macronix |
1шт: 319.00
|
|
|
3629468 |
MX25L3233FM2I-08G |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3640018 |
MX25L51245GZ2I-10G |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3802763 |
MX25L6406EM2I-12G |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3633523 |
MX29F040CQI-70G |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3966494 |
MX30LF2G18AC-TI |
|
|
|
|
|
|
|
|
по запросу
|
Подробнее |
3900522 |
MX30LF4G18AC-TI |
|
|
|
|
|
от 3 дней |
|
|
по запросу
|
Подробнее |
2298641 |
MX60LF8G18AC-TI |
|
|
96 |
|
|
от 3 дней |
TSOP48 |
MX |
1шт: 652.27
2шт : 652.27 6шт : 652.27 25шт : 652.27 63шт : 652.27
|
|
|
4254112 |
NE555DR. [SOP-8]; Timers / Clock Oscillators ROHS=NE555DR (TI);=NE555DR(ON); NE555DR=(ST)=TPL5010DDC |
|
шт |
20 |
|
5000.00 |
4-6 дней |
|
UMW |
1шт: 6.60
|
|
|
2298964 |
NorFlash Board [A] |
|
|
1 |
|
|
от 3 дней |
|
WAVESHAR |
1шт: 537.15
2шт : 537.15 7шт : 537.15 26шт : 537.15 68шт : 537.15
|
|
|
2298965 |
NorFlash Board [B] |
|
|
1 |
|
|
от 3 дней |
|
WAVESHAR |
1шт: 532.15
2шт : 532.15 7шт : 532.15 27шт : 532.15 68шт : 532.15
|
|
|