Сортировать
Показать фильтр
| ID | Название | Производитель | Количество | Описание | Единица измерения | Срок поставки | Упаковка | Цена от, руб. | В корзину | ||
| 4300934 | AD820ARZ-REEL. SOT23-3 |
|
AD | 1000.00 | шт | 4-6 дней | 10 | 1шт: 440.00 | |||
| 4254106 | ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) |
|
UMW | 2500.00 | шт | 4-6 дней | 20 | 1шт: 67.10 | |||
| 4260018 | ADM3485EARZ. [SOIC-8]; Transceiver 1/1 RS485 10Mbps SOIC-8_150mil RS-485/RS-422 ICs ROHS;=ADM3485EAR |
|
UMW | 5000.00 | шт | 4-6 дней | 20 | 1шт: 33.00 | |||
| 4273049 | AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 |
|
ALLIANCE Mem. | 20.00 | шт | 4-6 дней | 5 | 1шт: 979.00 | |||
| 4297431 | AS7C34098A-10TIN. память SRAM. 4Mb. 256Kx16. 3.3В 44-TSOPII (10.2x18.4) |
|
ALLIANCE Mem. | 50.00 | шт | 4-6 дней | 2 | 1шт: 1067.00 | |||
| 4233158 | AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 13.70 | ||||||
| 4280918 | AT24C08C-SSHM-T |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 50.29 | ||||||
| 4233159 | AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 28.31 | ||||||
| 4297432 | AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти SOIC8 |
|
Atmel | 1000.00 | шт | 4-6 дней | 20 | 1шт: 49.50 | |||
| 4229947 | AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 37.85 | ||||||
| 4280362 | AT24C64D-SSHM-T |
|
Microchip | 1000.00 | шт | 4-6 дней | 100 | 1шт: 23.10 | |||
| 4233160 | AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 33.03 | ||||||
| 4282801 | AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 69.28 | ||||||
| 4282802 | AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8 |
|
Dialog Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 50.18 | ||||||
| 4284472 | AT25SF161B-SSHB-T. Flash память NOR 16Мбит шина SPI 2xSPI 4xSPISO8 |
|
Adesto | 500.00 | шт | 4-6 дней | 20 | 1шт: 78.10 | |||
| 4277340 | AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 |
|
Renesas | 3-5 дней | 1шт: 72.23 | ||||||
| 4300051 | AT29C512-70PI. флэш-память 512К 5В. DIP32-600 |
|
Atmel | 180.00 | шт | 4-6 дней | 10 | 1шт: 484.00 | |||
| 4192523 | AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 116.10 | ||||||
| 4281670 | AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow) |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 49.61 | ||||||
| 4192525 | AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) |
|
Dialog Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 79.70 | ||||||
| 4284922 | AT45DB161E-SSHF-B |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 379.79 | ||||||
| 4296222 | AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 334.22 | ||||||
| 4277906 | AT45DB321E-SHF-T. Флэш-память Adesto Technologies. 32Мбит (528 Кб x 8192). 2.3...3.6В. 85МГц. корпус SOIC-8 |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 89.30 | ||||||
| 4199437 | AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 180.81 | ||||||
| 4277621 | AT45DB641E-SHN2B-T |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 587.75 | ||||||
| 4280366 | AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 426.55 | ||||||
| 4284473 | AT93C46DN-SH-T. EEPROM. 1.8В SPI. 1КБ 1 2МГц SO8 |
|
Microchip | 2000.00 | шт | 4-6 дней | 40 | 1шт: 25.30 | |||
| 4255130 | AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 22.01 | ||||||
| 4265990 | BQ7791500PWR |
|
TI | 5000.00 | шт | 4-6 дней | 1 | 1шт: 107.80 | |||
| 4258359 | BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
|
INFINEON | 440.00 | шт | 4-6 дней | 2 | 1шт: 36.30 | |||
| 4284433 | CAT24C256WI-GT3. микросхема памяти EEPROM I2C 256К-бит 400КГц SO8 |
|
ONS | 600.00 | шт | 4-6 дней | 30 | 1шт: 61.60 | |||
| 4277483 | CY62128ELL-45SXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 1 Мбит (128Кбx8). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус SOIC-32 |
|
Cypress Semiconductor | CY62128ELL-45SXIT - микросхема памяти SRAM, 1 Мбит, 128 Кбx8 бит, от 4.5 В до 5.5 В, корпус SOIC-32, 32 вывода, 45 нс. | 3-5 дней | 1шт: 409.43 | |||||
| 4135747 | CY62256NLL-55SNXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 256 Кб(32K x 8). параллельный интерфейс. 55 нс. корпус SOIC-28 |
|
Cypress Semiconductor | CY62256NLL-55SNXIT - микросхема памяти SRAM, корпус SOIC-28, тип памяти RAM, подтип памяти SRAM - Asynchronous, интерфейс Parallel, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 4.5 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В. | 3-5 дней | 1шт: 247.44 | |||||
| 4278453 | DS2431P+T&R. Энергонезависимое ППЗУ 1024-бит. однопроводное. корпус TSOC-6 |
|
Maxim Integrated | 3-5 дней | 1шт: 86.03 | ||||||
| 4279953 | DS28EC20+T. Микросхема. EEPROM. 4 V. 5.25 V |
|
Maxim | 200.00 | шт | 4-6 дней | 50 | 1шт: 407.00 | |||
| 4285392 | DS9034PC+ |
|
Maxim | 14.00 | шт | 4-6 дней | 5 | 1шт: 2200.00 | |||
| 4304099 | DS9034PC+. управление питанием Lithium-ion батарей 3В SMT |
|
Maxim | 14.00 | шт | 4-6 дней | 5 | 1шт: 2200.00 | |||
| 4133526 | EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 |
|
ALTERA | EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. | 3-5 дней | 1шт: 287.50 | |||||
| 4244962 | EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 |
|
ALTERA | EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16. | 3-5 дней | 1шт: 1477.19 | |||||
| 4232252 | EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 |
|
ALTERA | EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | 3-5 дней | 1шт: 684.61 | |||||
| 4134347 | EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 |
|
ALTERA | EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | 3-5 дней | 1шт: 226.95 | |||||
| 4232468 | FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 |
|
Cypress Semiconductor | FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В. | 3-5 дней | 1шт: 2702.08 | |||||
| 4254062 | FM24C04B-GTR |
|
CYPRESS | 1000.00 | шт | 4-6 дней | 67 | 1шт: 121.00 | |||
| 4233162 | FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 160.13 | ||||||
| 4275251 | FM24C04B-GTR. микросхема памяти FRAM 4кБ I2C 5В SOIC-8 |
|
CYPRESS | 2707.00 | шт | 4-6 дней | 15 | 1шт: 198.00 | |||
| 4133528 | FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | FM24CL16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B. | 3-5 дней | 1шт: 70.52 | |||||
| 4256133 | FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C. 1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 85.01 | ||||||
| 4135749 | FM24V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 1 Mбит(128 Kбит x 8). 3.4 МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | FM24V10-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ 1 Mбит, 3.4 МГц, шина I2C, корпус SOIC-8. Примечание: 128 Kбитx8. | 3-5 дней | 1шт: 504.20 | |||||
| 4135750 | FM24W256-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. I2C. 256Кб(32K x 8). 1 МГц. 550 нс. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 178.60 | ||||||
| 4256447 | FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH 256K-BIT SPI Serial EEPROM |
|
FUDAN | 2.00 | шт | 4-6 дней | 500 | 1шт: 275.00 | |||
Фильтры