+7 (499) 63-83-123 Контактный телефон
Цена
от
до
Производитель

Примечание: Обращаем ваше внимание на то, что информация, изображения и характеристики несут исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 ГК РФ. Цена приведена как справочная информация и может быть изменена в любое время без предупреждения. Производитель может изменить комплектацию, характеристики и внешний вид товара без предварительного уведомления. Изображения могут отличаться от действительного вида товара. Для получения подробной информации о стоимости, комплектации, сроках и условиях поставки товара просьба обращаться к менеджерам компании.

Сортировать
Показать фильтр
ID Название Срок поставки Производитель Упаковка Единица измерения Описание Количество Цена от, руб. В корзину
4300934 AD820ARZ-REEL. SOT23-3 AD820ARZ-REEL. SOT23-3 4-6 дней AD 10 шт 1000.00 1шт: 451.00
4254106 ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) 4-6 дней UMW 20 шт 2500.00 1шт: 69.30
4260018 ADM3485EARZ. [SOIC-8]; Transceiver 1/1 RS485 10Mbps SOIC-8_150mil RS-485/RS-422 ICs ROHS;=ADM3485EAR ADM3485EARZ. [SOIC-8]; Transceiver 1/1 RS485 10Mbps SOIC-8_150mil RS-485/RS-422 ICs ROHS;=ADM3485EAR 4-6 дней UMW 20 шт 5000.00 1шт: 34.10
4273049 AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 4-6 дней ALLIANCE Mem. 5 шт 20.00 1шт: 1001.00
4297431 AS7C34098A-10TIN. память SRAM. 4Mb. 256Kx16. 3.3В 44-TSOPII (10.2x18.4) AS7C34098A-10TIN. память SRAM. 4Mb. 256Kx16. 3.3В 44-TSOPII (10.2x18.4) 4-6 дней ALLIANCE Mem. 2 шт 50.00 1шт: 1100.00
4233158 AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip 3-5 дней Microchip 1шт: 13.70
4280918 AT24C08C-SSHM-T AT24C08C-SSHM-T 3-5 дней Microchip 1шт: 50.29
4233159 AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip 3-5 дней Microchip 1шт: 28.31
4297432 AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти SOIC8 AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти SOIC8 4-6 дней Atmel 20 шт 1000.00 1шт: 51.70
4229947 AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8).  1МГц. корпус SOIC-8 3-5 дней Microchip 1шт: 37.85
4280362 AT24C64D-SSHM-T AT24C64D-SSHM-T 4-6 дней Microchip 100 шт 1000.00 1шт: 23.10
4233160 AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip 3-5 дней Microchip 1шт: 33.03
4282801 AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 3-5 дней Adesto Technologies 1шт: 69.28
4282802 AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц.  корпус SOIC-8 3-5 дней Dialog Semiconductor 1шт: 50.18
4284472 AT25SF161B-SSHB-T. Flash память NOR 16Мбит шина SPI 2xSPI 4xSPISO8 AT25SF161B-SSHB-T. Flash память NOR 16Мбит шина SPI 2xSPI 4xSPISO8 4-6 дней Adesto 20 шт 500.00 1шт: 80.30
4277340 AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 3-5 дней Renesas 1шт: 72.23
4300051 AT29C512-70PI. флэш-память 512К 5В. DIP32-600 AT29C512-70PI. флэш-память 512К 5В. DIP32-600 4-6 дней Atmel 10 шт 180.00 1шт: 484.00
4192523 AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages).   85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) 3-5 дней Adesto Technologies 1шт: 116.10
4192524 AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages).   85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) 3-5 дней Adesto Technologies 1шт: 95.29
4281670 AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip .   электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow) 3-5 дней Microchip 1шт: 49.61
4192525 AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes).   85МГц.  корпус SOIC-8(Wide) 3-5 дней Dialog Semiconductor 1шт: 83.98
4284922 AT45DB161E-SSHF-B AT45DB161E-SSHF-B 3-5 дней Adesto Technologies 1шт: 379.79
4296222 AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 3-5 дней Adesto Technologies 1шт: 334.22
4199437 AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages).   85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) 3-5 дней Adesto Technologies 1шт: 178.60
4277621 AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-SHN2B-T 3-5 дней Adesto Technologies 1шт: 587.75
4280366 AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 3-5 дней Adesto Technologies 1шт: 426.55
4284473 AT93C46DN-SH-T. EEPROM. 1.8В SPI. 1КБ 1 2МГц SO8 AT93C46DN-SH-T. EEPROM. 1.8В SPI. 1КБ 1 2МГц SO8 4-6 дней Microchip 40 шт 2000.00 1шт: 25.30
4255130 AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire.  250ns 3-5 дней Microchip 1шт: 22.01
4265990 BQ7791500PWR BQ7791500PWR 4-6 дней TI 1 шт 5000.00 1шт: 121.00
4258359 BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R 4-6 дней INFINEON 2 шт 440.00 1шт: 36.30
4284433 CAT24C256WI-GT3. микросхема памяти EEPROM I2C 256К-бит 400КГц SO8 CAT24C256WI-GT3. микросхема памяти EEPROM I2C 256К-бит 400КГц SO8 4-6 дней ONS 30 шт 600.00 1шт: 62.70
4277483 CY62128ELL-45SXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 1 Мбит (128Кбx8). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус SOIC-32 CY62128ELL-45SXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. 	 SRAM - Asynchronous Memory. 1 Мбит (128Кбx8). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус  SOIC-32 3-5 дней Cypress Semiconductor CY62128ELL-45SXIT - микросхема памяти SRAM, 1 Мбит, 128 Кбx8 бит, от 4.5 В до 5.5 В, корпус SOIC-32, 32 вывода, 45 нс. 1шт: 409.43
4135747 CY62256NLL-55SNXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 256 Кб(32K x 8). параллельный интерфейс. 55 нс. корпус SOIC-28 CY62256NLL-55SNXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM -  Asynchronous Memory. 256 Кб(32K x 8). параллельный интерфейс. 55 нс. корпус SOIC-28 3-5 дней Cypress Semiconductor CY62256NLL-55SNXIT - микросхема памяти SRAM, корпус SOIC-28, тип памяти RAM, подтип памяти SRAM - Asynchronous, интерфейс Parallel, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 4.5 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В. 1шт: 247.44
4279953 DS28EC20+T. Микросхема. EEPROM. 4 V. 5.25 V DS28EC20+T. Микросхема. EEPROM.  4 V. 5.25 V 4-6 дней Maxim 50 шт 200.00 1шт: 418.00
4285392 DS9034PC+ DS9034PC+ 4-6 дней Maxim 5 шт 14.00 1шт: 2200.00
4133526 EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 3-5 дней ALTERA EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. 1шт: 287.50
4244962 EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 3-5 дней ALTERA EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16. 1шт: 1477.19
4232252 EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 3-5 дней ALTERA EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. 1шт: 684.61
4134347 EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 3-5 дней ALTERA EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. 1шт: 226.95
4232468 FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16).  параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 3-5 дней Cypress Semiconductor FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В. 1шт: 2702.08
4254062 FM24C04B-GTR FM24C04B-GTR 4-6 дней CYPRESS 67 шт 1000.00 1шт: 121.00
4233162 FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor 3-5 дней Cypress Semiconductor 1шт: 160.13
4275251 FM24C04B-GTR. микросхема памяти FRAM 4кБ I2C 5В SOIC-8 FM24C04B-GTR. микросхема памяти FRAM  4кБ I2C 5В SOIC-8 4-6 дней CYPRESS 15 шт 2707.00 1шт: 209.00
4133528 FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 3-5 дней Cypress Semiconductor FM24CL16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B. 1шт: 70.52
4256133 FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C. 1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8 FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C.  1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8 3-5 дней Cypress Semiconductor 1шт: 85.01
4135749 FM24V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 1 Mбит(128 Kбит x 8). 3.4 МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8 FM24V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 1 Mбит(128 Kбит x 8). 3.4   МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8 3-5 дней Cypress Semiconductor FM24V10-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ 1 Mбит, 3.4 МГц, шина I2C, корпус SOIC-8. Примечание: 128 Kбитx8. 1шт: 504.20
4256447 FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH 256K-BIT SPI Serial EEPROM FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH 256K-BIT SPI Serial EEPROM 4-6 дней FUDAN 500 шт 2.00 1шт: 275.00
4275248 FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ  20МГц  SOIC8 4-6 дней RAMTRON 15 шт 1900.00 1шт: 209.00
4269416 FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 4-6 дней RAMTRON 1 шт 2500.00 1шт: 198.00
4266597 FM25CL64B-GTR. Сегнетоэлектрическая память Cypress Semiconductor. SPI. 20МГц. 64Кбит. корпус SOIC-8 FM25CL64B-GTR. Сегнетоэлектрическая память Cypress Semiconductor. SPI. 20МГц. 64Кбит.  корпус SOIC-8 3-5 дней Cypress Semiconductor 1шт: 62.02
1 2 3 4 >
Товар добавлен в корзину
Товар добавлен в отложенные