Сортировать
Показать фильтр
| ID | Название | Производитель | Упаковка | Срок поставки | Описание | Единица измерения | Количество | Цена от, руб. | В корзину | ||
| 4254106 | ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) |
![ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI)](/img/tags/none.jpg)
|
UMW | 20 | 4-6 дней | шт | 2500.00 | 1шт: 78.10 | |||
| 4260018 | ADM3485EARZ. [SOIC-8]; Transceiver 1/1 RS485 10Mbps SOIC-8_150mil RS-485/RS-422 ICs ROHS;=ADM3485EAR |
|
UMW | 20 | 4-6 дней | шт | 5000.00 | 1шт: 38.50 | |||
| 4273049 | AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 |
|
ALLIANCE Mem. | 5 | 4-6 дней | шт | 20.00 | 1шт: 759.00 | |||
| 4233158 | AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 19.24 | ||||||
| 4233159 | AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 43.31 | ||||||
| 4229947 | AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 49.23 | ||||||
| 4233160 | AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 37.53 | ||||||
| 4192523 | AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 131.93 | ||||||
| 4192524 | AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 108.29 | ||||||
| 4192525 | AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) |
|
Dialog Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 210.38 | ||||||
| 4199437 | AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) |
|
Adesto Technologies | 3-5 дней | 1шт: 236.75 | ||||||
| 4255130 | AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns |
|
Microchip | 3-5 дней | 1шт: 25.01 | ||||||
| 4265990 | BQ7791500PWR |
|
TI | 1 | 4-6 дней | шт | 5000.00 | 1шт: 132.00 | |||
| 4258359 | BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
|
INFINEON | 2 | 4-6 дней | шт | 440.00 | 1шт: 39.60 | |||
| 4133526 | EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 |
|
ALTERA | 3-5 дней | EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. | 1шт: 269.04 | |||||
| 4244962 | EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 |
|
ALTERA | 3-5 дней | EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16. | 1шт: 1529.37 | |||||
| 4232252 | EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 |
|
ALTERA | 3-5 дней | EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | 1шт: 777.97 | |||||
| 4134347 | EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 |
|
ALTERA | 3-5 дней | EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | 1шт: 220.45 | |||||
| 4232468 | FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В. | 1шт: 3070.55 | |||||
| 4254062 | FM24C04B-GTR |
|
CYPRESS | 67 | 4-6 дней | шт | 1000.00 | 1шт: 121.00 | |||
| 4233162 | FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 181.96 | ||||||
| 4133528 | FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM24CL16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B. | 1шт: 95.60 | |||||
| 4256380 | FM24CL16B-GTR. микросхема памяти F-RAM 16кБ I2C 5В SOIC8 |
|
CYPRESS | 10 | 4-6 дней | шт | 27.00 | 1шт: 209.00 | |||
| 4256133 | FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C. 1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 94.46 | ||||||
| 4135749 | FM24V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 1 Mбит(128 Kбит x 8). 3.4 МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM24V10-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ 1 Mбит, 3.4 МГц, шина I2C, корпус SOIC-8. Примечание: 128 Kбитx8. | 1шт: 572.95 | |||||
| 4135750 | FM24W256-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. I2C. 256Кб(32K x 8). 1 МГц. 550 нс. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 249.98 | ||||||
| 4256447 | FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH 256K-BIT SPI Serial EEPROM |
|
FUDAN | 500 | 4-6 дней | шт | 2.00 | 1шт: 341.00 | |||
| 4269416 | FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 |
|
RAMTRON | 1 | 4-6 дней | шт | 2500.00 | 1шт: 220.00 | |||
| 4266597 | FM25CL64B-GTR. Сегнетоэлектрическая память Cypress Semiconductor. SPI. 20МГц. 64Кбит. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 98.42 | ||||||
| 4253214 | FM25L16B-GTR |
|
CYPRESS | 44 | 4-6 дней | шт | 1000.00 | 1шт: 176.00 | |||
| 4135743 | FM25L16B-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит(2K x 8). 20 МГц. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM25L16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B. | 1шт: 216.09 | |||||
| 4135744 | FM25V02A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256Кбит(32Kбx8). 40 МГц. SPI. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM25V02A-GTR - микросхема памяти FRAM 256 Кб, (32 Kбx8), 3 В, корпус SOIC-8. | 1шт: 245.32 | |||||
| 4233164 | FM25V05-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 427.89 | ||||||
| 4233165 | FM25V10-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | 1шт: 600.35 | ||||||
| 4269418 | FM25V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 40МГц 8SOIC |
|
CYPRESS | 10 | 4-6 дней | шт | 300.00 | 1шт: 1023.00 | |||
| 4244963 | FM25V20A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. SPI . 2 Мбит(256K x 8). 40МГц. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM25V20A-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 2 Мбит, рабочая температура -40...85 °C, напряжение питания, мин. - 2 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В, корпус SOIC-8. | 1шт: 1126.78 | |||||
| 4135751 | FM25W256-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). 20 МГц. SPI. корпус SOIC-8 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM25W256-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В, корпус SOIC-8. | 1шт: 399.38 | |||||
| 4135752 | FM28V020-SGTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). параллельный интерфейс. 140 нс. корпус SOIC-28 |
|
Cypress Semiconductor | 3-5 дней | FM28V020-SGTR - cегнетоэлектрическое ОЗУ FRAM, 256 Кбит, параллельный интерфейс, напряжение 3,3 В, 28 контактов, корпус SOIC T/R. | 1шт: 484.96 | |||||
| 4256757 | HT7530S. [SOT-23]; Monitors Reset Circuits ROHS =REF3030AIDBZ |
|
UMW | 500 | 4-6 дней | шт | 2163.00 | 1шт: 27.50 | |||
| 4260019 | L78L05A. [SOIC-8]; Linear Voltage Regulators (LDO) ROHS=LM78L05 (TI);=MC78L05(ON); L78L05=(ST) |
|
UMW | 20 | 4-6 дней | шт | 22500.00 | 1шт: 8.80 | |||
| 4260020 | LM193DR. [SOP-8=SOIC8]; Comparators ROHS=LM193DR (TI);=LM193DR(ON) |
|
UMW | 20 | 4-6 дней | шт | 5000.00 | 1шт: 8.80 | |||
| 4260035 | LM317DCYR. [SOT223]; 75dB@(120Hz) 2.2A Adjustable 1.2V~37V Positive 1 Linear Voltage Regulators (LDO |
|
UMW | 20 | 4-6 дней | шт | 2500.00 | 1шт: 20.90 | |||
| 4260036 | LM324ADR. [SOP-14]; Operational Amplifier ROHS=LM324ADR (TI);=LM324ADR(ON); LM2904D=(ST) |
|
UMW | 20 | 4-6 дней | шт | 5000.00 | 1шт: 12.10 | |||
| 4260037 | LM393ADR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM393ADR (TI);=LM393ADR(ON); LM393DT=(ST) |
|
UMW | 20 | 4-6 дней | шт | 2500.00 | 1шт: 6.60 | |||
| 4260520 | LM393ADR. компаратор SOP8 (=LM393ADR. LM393ADR. LM393DT) |
|
UMW | 500 | 4-6 дней | шт | 2500.00 | 1шт: 7.70 | |||
| 4254107 | LM75BD. [SOP-8]; Temperature Sensors ROHS=LM75BD (TI);=LM75BD(ON) |
|
UMW | 20 | 4-6 дней | шт | 4000.00 | 1шт: 71.50 | |||
| 4260038 | LMV358IDR. [SOP-8]; Operational Amplifier ROHS=LMV358IDR (TI) |
|
UMW | 20 | 4-6 дней | шт | 2500.00 | 1шт: 13.20 | |||
| 3629865 | M24512-RMN6P |
|
от 3 дней | по запросу | Подробнее | ||||||
| 3629695 | M24512-RMN6TP |
|
от 3 дней | по запросу | Подробнее | ||||||
| 4262380 | M24512-RMN6TP. память SOIC-8_150mil EEPROM ROHS |
|
STM | 30 | 4-6 дней | шт | 2500.00 | 1шт: 74.80 | |||
Фильтры