+7 (499) 63-83-123 Контактный телефон
Каталог
Цена
от
до
Производитель

Примечание: Обращаем ваше внимание на то, что информация, изображения и характеристики несут исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 ГК РФ. Цена приведена как справочная информация и может быть изменена в любое время без предупреждения. Производитель может изменить комплектацию, характеристики и внешний вид товара без предварительного уведомления. Изображения могут отличаться от действительного вида товара. Для получения подробной информации о стоимости, комплектации, сроках и условиях поставки товара просьба обращаться к менеджерам компании.

Сортировать
Показать фильтр
ID Название Единица измерения Количество Производитель Упаковка Описание Срок поставки Цена от, руб. В корзину
4300934 AD820ARZ-REEL. SOT23-3 AD820ARZ-REEL. SOT23-3 шт 1000.00 AD 10 4-6 дней 1шт: 506.00
4254106 ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) шт 2500.00 UMW 20 4-6 дней 1шт: 78.10
4273049 AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 шт 20.00 ALLIANCE Mem. 5 4-6 дней 1шт: 836.00
4297431 AS7C34098A-10TIN. память SRAM. 4Mb. 256Kx16. 3.3В 44-TSOPII (10.2x18.4) AS7C34098A-10TIN. память SRAM. 4Mb. 256Kx16. 3.3В 44-TSOPII (10.2x18.4) шт 50.00 ALLIANCE Mem. 2 4-6 дней 1шт: 1034.00
4317584 AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C04C-SSHM-T AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C04C-SSHM-T Microchip 3-5 дней 1шт: 13.70
4280918 AT24C08C-SSHM-T AT24C08C-SSHM-T Microchip 3-5 дней 1шт: 50.29
4312362 AT24C08C-SSHM-T AT24C08C-SSHM-T AT24C08C-SSHM-T AT24C08C-SSHM-T Microchip 3-5 дней 1шт: 50.29
4317585 AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip AT24C256C-SSHL-T AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip AT24C256C-SSHL-T Microchip 3-5 дней 1шт: 28.36
4297432 AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти SOIC8 AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти SOIC8 шт 1000.00 Atmel 20 4-6 дней 1шт: 51.70
4317586 AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 AT24C512C-SSHD-T AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 AT24C512C-SSHD-T Microchip 3-5 дней 1шт: 37.85
4317587 AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C64D-SSHM-T AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C64D-SSHM-T Microchip 3-5 дней 1шт: 33.03
4282801 AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 69.28
4311754 AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 AT25DF081A-SSH-T AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 AT25DF081A-SSH-T Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 69.28
4326773 AT25DF321A-SH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. электропитание 3.3В. 32Мбит (4M x 8). 5нс. корпус SOIC-8 AT25DF321A-SH-T AT25DF321A-SH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. электропитание 3.3В. 32Мбит (4M x 8). 5нс. корпус SOIC-8 AT25DF321A-SH-T Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 125.59
4282802 AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8 Dialog Semiconductor 3-5 дней 1шт: 50.18
4311755 AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF041B-SSHB-B AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF041B-SSHB-B Dialog Semiconductor 3-5 дней 1шт: 50.18
4284472 AT25SF161B-SSHB-T. Flash память NOR 16Мбит шина SPI 2xSPI 4xSPISO8 AT25SF161B-SSHB-T. Flash память NOR 16Мбит шина SPI 2xSPI 4xSPISO8 шт 500.00 Adesto 20 4-6 дней 1шт: 91.30
4277340 AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 Renesas 3-5 дней 1шт: 72.23
4311756 AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF161B-SSHD-T AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF161B-SSHD-T Renesas 3-5 дней 1шт: 72.23
4300051 AT29C512-70PI. флэш-память 512К 5В. DIP32-600 AT29C512-70PI. флэш-память 512К 5В. DIP32-600 шт 180.00 Atmel 10 4-6 дней 1шт: 484.00
4317588 AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB041E-SHN-T AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB041E-SHN-T Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 116.10
4317589 AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB041E-SSHN-T AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB041E-SSHN-T Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 30.78
4281670 AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow) Microchip 3-5 дней 1шт: 49.61
4311768 AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB081E-SSHN-T AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB081E-SSHN-T Microchip 3-5 дней 1шт: 49.61
4317590 AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) AT45DB161E-SHD-T AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) AT45DB161E-SHD-T Dialog Semiconductor 3-5 дней 1шт: 81.36
4296222 AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 334.22
4311769 AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 AT45DB161E-SSHF-B AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 AT45DB161E-SSHF-B Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 334.22
4277906 AT45DB321E-SHF-T. Флэш-память Adesto Technologies. 32Мбит (528 Кб x 8192). 2.3...3.6В. 85МГц. корпус SOIC-8 AT45DB321E-SHF-T. Флэш-память Adesto Technologies. 32Мбит (528 Кб x 8192). 2.3...3.6В. 85МГц. корпус SOIC-8 Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 89.30
4311770 AT45DB321E-SHF-T. Флэш-память Adesto Technologies. 32Мбит (528 Кб x 8192). 2.3...3.6В. 85МГц. корпус SOIC-8 AT45DB321E-SHF-T AT45DB321E-SHF-T. Флэш-память Adesto Technologies. 32Мбит (528 Кб x 8192). 2.3...3.6В. 85МГц. корпус SOIC-8 AT45DB321E-SHF-T Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 89.30
4317591 AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB641E-SHN-T AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB641E-SHN-T Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 180.81
4280366 AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 426.55
4311771 AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 AT45DB641E-SHN2B-T Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 426.55
4284473 AT93C46DN-SH-T. EEPROM. 1.8В SPI. 1КБ 1 2МГц SO8 AT93C46DN-SH-T. EEPROM. 1.8В SPI. 1КБ 1 2МГц SO8 шт 2000.00 Microchip 40 4-6 дней 1шт: 29.70
4317607 AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns AT93C66B-SSHM-T AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns AT93C66B-SSHM-T Microchip 3-5 дней 1шт: 22.01
4265990 BQ7791500PWR BQ7791500PWR шт 5000.00 TI 1 4-6 дней 1шт: 108.90
4306303 BQ7791500PWR. микросхема защиты аккумуляторной батареиTSSOP-24 BQ7791500PWR. микросхема защиты аккумуляторной батареиTSSOP-24 шт 4841.00 TI 2 4-6 дней 1шт: 121.00
4258359 BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R шт 440.00 INFINEON 2 4-6 дней 1шт: 36.30
4284433 CAT24C256WI-GT3. микросхема памяти EEPROM I2C 256К-бит 400КГц SO8 CAT24C256WI-GT3. микросхема памяти EEPROM I2C 256К-бит 400КГц SO8 шт 600.00 ONS 30 4-6 дней 1шт: 58.30
4317640 CY62128ELL-45SXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 1 Мбит (128Кбx8). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус SOIC-32 CY62128ELL-45SXIT CY62128ELL-45SXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 1 Мбит (128Кбx8). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус SOIC-32 CY62128ELL-45SXIT Cypress Semiconductor CY62128ELL-45SXIT - микросхема памяти SRAM, 1 Мбит, 128 Кбx8 бит, от 4.5 В до 5.5 В, корпус SOIC-32, 32 вывода, 45 нс. 3-5 дней 1шт: 409.43
4308884 CY62167EV30LL-45ZXI. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 16MB(2Mx8. 1Mx16). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус TSOP-1-48 CY62167EV30LL-45ZXI. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 16MB(2Mx8. 1Mx16). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус TSOP-1-48 Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 917.80
4311582 CY62167EV30LL-45ZXI. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 16MB(2Mx8. 1Mx16). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус TSOP-1-48 CY62167EV30LL-45ZXI CY62167EV30LL-45ZXI. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 16MB(2Mx8. 1Mx16). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус TSOP-1-48 CY62167EV30LL-45ZXI Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 917.80
4326509 CY7C68013A-56LTXC CY7C68013A-56LTXC CY7C68013A-56LTXC CY7C68013A-56LTXC Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 656.73
4326780 DS2431P+T&R. Энергонезависимое ППЗУ 1024-бит. однопроводное. корпус TSOC-6 DS2431P+T&R DS2431P+T&R. Энергонезависимое ППЗУ 1024-бит. однопроводное. корпус TSOC-6 DS2431P+T&R Maxim Integrated 3-5 дней 1шт: 111.07
4279953 DS28EC20+T. Микросхема. EEPROM. 4 V. 5.25 V DS28EC20+T. Микросхема. EEPROM. 4 V. 5.25 V шт 200.00 Maxim 50 4-6 дней 1шт: 484.00
4317654 EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 EPCQ4ASI8N EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 EPCQ4ASI8N ALTERA EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. 3-5 дней 1шт: 287.50
4317655 EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 EPCQ64ASI16N EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 EPCQ64ASI16N ALTERA EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16. 3-5 дней 1шт: 1477.19
4317656 EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS16SI8N EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS16SI8N ALTERA EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. 3-5 дней 1шт: 684.61
4317657 EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS4SI8N EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS4SI8N ALTERA EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. 3-5 дней 1шт: 260.41
4309634 FM11NT081DI-DNC-T-G FM11NT081DI-DNC-T-G шт 50.00 FUDAN 100 4-6 дней 1шт: 51.70
4317660 FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 FM22L16-55-TG FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 FM22L16-55-TG Cypress Semiconductor FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В. 3-5 дней 1шт: 2702.08
1 2 3 4 5 >
Фильтры
Посмотреть результат (232)
Информация
Контакты
Разработка сайта INSPIRO
Авторские права © 2024 Mlab-ic.com
Вся информация, представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер.
Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности
Товар добавлен в корзину
Товар добавлен в отложенные