Сортировать
Показать фильтр
| ID | Название | Количество | Срок поставки | Производитель | Упаковка | Единица измерения | Описание | Цена от, руб. | В корзину | ||
| 4254106 | ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) |
![ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI)](/img/tags/none.jpg)
|
2500.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 59.40 | |||
| 4260018 | ADM3485EARZ. [SOIC-8]; Transceiver 1/1 RS485 10Mbps SOIC-8_150mil RS-485/RS-422 ICs ROHS;=ADM3485EAR |
|
5000.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 47.30 | |||
| 4233158 | AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip |
|
3-5 дней | Microchip | 1шт: 17.58 | ||||||
| 4233159 | AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip |
|
3-5 дней | Microchip | 1шт: 40.09 | ||||||
| 4229947 | AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | Microchip | 1шт: 169.69 | ||||||
| 4233160 | AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip |
|
3-5 дней | Microchip | 1шт: 34.28 | ||||||
| 4192523 | AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) |
|
3-5 дней | Adesto Technologies | 1шт: 120.53 | ||||||
| 4192524 | AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) |
|
3-5 дней | Adesto Technologies | 1шт: 98.94 | ||||||
| 4192525 | AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) |
|
3-5 дней | Dialog Semiconductor | 1шт: 192.22 | ||||||
| 4199437 | AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) |
|
3-5 дней | Adesto Technologies | 1шт: 502.18 | ||||||
| 4255130 | AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns |
|
3-5 дней | Microchip | 1шт: 22.85 | ||||||
| 4258359 | BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
|
440.00 | 4-6 дней | INFINEON | 2 | шт | 1шт: 30.80 | |||
| 3625389 | CR95HF-VMD5T |
|
от 3 дней | по запросу | Подробнее | ||||||
| 4135747 | CY62256NLL-55SNXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 256 Кб(32K x 8). параллельный интерфейс. 55 нс. корпус SOIC-28 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | CY62256NLL-55SNXIT - микросхема памяти SRAM, корпус SOIC-28, тип памяти RAM, подтип памяти SRAM - Asynchronous, интерфейс Parallel, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 4.5 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В. | 1шт: 278.88 | |||||
| 4133526 | EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | ALTERA | EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. | 1шт: 316.01 | |||||
| 4232252 | EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | ALTERA | EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | 1шт: 710.74 | |||||
| 4253956 | EPCS4SI8N. Flash память 4мБит SO-8 |
|
100.00 | 4-6 дней | Altera | 3 | шт | 1шт: 363.00 | |||
| 4134347 | EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | ALTERA | EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | 1шт: 282.58 | |||||
| 4232468 | FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В. | 1шт: 2805.19 | |||||
| 4254062 | FM24C04B-GTR |
|
1000.00 | 4-6 дней | CYPRESS | 67 | шт | 1шт: 154.00 | |||
| 4233162 | FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 166.24 | ||||||
| 4133528 | FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | FM24CL16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B. | 1шт: 87.34 | |||||
| 4256380 | FM24CL16B-GTR. микросхема памяти F-RAM 16кБ I2C 5В SOIC8 |
|
27.00 | 4-6 дней | CYPRESS | 10 | шт | 1шт: 165.00 | |||
| 4256133 | FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C. 1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 108.62 | ||||||
| 4135750 | FM24W256-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. I2C. 256Кб(32K x 8). 1 МГц. 550 нс. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 228.38 | ||||||
| 4256448 | FM25512-SO-T-G. 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY |
|
21.00 | 4-6 дней | FUDAN | 1000 | шт | 1шт: 11.00 | |||
| 4253214 | FM25L16B-GTR |
|
1000.00 | 4-6 дней | CYPRESS | 44 | шт | 1шт: 143.00 | |||
| 4135743 | FM25L16B-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит(2K x 8). 20 МГц. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | FM25L16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B. | 1шт: 197.40 | |||||
| 4233164 | FM25V05-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 401.48 | ||||||
| 4233165 | FM25V10-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 548.47 | ||||||
| 4244963 | FM25V20A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. SPI . 2 Мбит(256K x 8). 40МГц. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | FM25V20A-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 2 Мбит, рабочая температура -40...85 °C, напряжение питания, мин. - 2 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В, корпус SOIC-8. | 1шт: 2004.76 | |||||
| 4135751 | FM25W256-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). 20 МГц. SPI. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | FM25W256-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В, корпус SOIC-8. | 1шт: 250.58 | |||||
| 4135752 | FM28V020-SGTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). параллельный интерфейс. 140 нс. корпус SOIC-28 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | FM28V020-SGTR - cегнетоэлектрическое ОЗУ FRAM, 256 Кбит, параллельный интерфейс, напряжение 3,3 В, 28 контактов, корпус SOIC T/R. | 1шт: 391.27 | |||||
| 4256757 | HT7530S. [SOT-23]; Monitors Reset Circuits ROHS =REF3030AIDBZ |
|
2163.00 | 4-6 дней | UMW | 500 | шт | 1шт: 20.90 | |||
| 4260019 | L78L05A. [SOIC-8]; Linear Voltage Regulators (LDO) ROHS=LM78L05 (TI);=MC78L05(ON); L78L05=(ST) |
|
22500.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 19.80 | |||
| 4260020 | LM193DR. [SOP-8=SOIC8]; Comparators ROHS=LM193DR (TI);=LM193DR(ON) |
|
5000.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 19.80 | |||
| 4260021 | LM2904DR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM2904DR (TI);=LM2904DR(ON); LM2904D=(ST) |
|
5000.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 20.90 | |||
| 4260035 | LM317DCYR. [SOT223]; 75dB@(120Hz) 2.2A Adjustable 1.2V~37V Positive 1 Linear Voltage Regulators (LDO |
|
2500.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 22.00 | |||
| 4260036 | LM324ADR. [SOP-14]; Operational Amplifier ROHS=LM324ADR (TI);=LM324ADR(ON); LM2904D=(ST) |
|
5000.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 26.40 | |||
| 4260005 | LM358ADR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM358ADR (TI);=LM358ADR(ON); LM358DT=(ST) |
|
5000.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 16.50 | |||
| 4260037 | LM393ADR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM393ADR (TI);=LM393ADR(ON); LM393DT=(ST) |
|
2500.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 6.60 | |||
| 4260520 | LM393ADR. компаратор SOP8 (=LM393ADR. LM393ADR. LM393DT) |
|
2500.00 | 4-6 дней | UMW | 500 | шт | 1шт: 6.60 | |||
| 4254107 | LM75BD. [SOP-8]; Temperature Sensors ROHS=LM75BD (TI);=LM75BD(ON) |
|
4000.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 55.00 | |||
| 4260038 | LMV358IDR. [SOP-8]; Operational Amplifier ROHS=LMV358IDR (TI) |
|
2500.00 | 4-6 дней | UMW | 20 | шт | 1шт: 11.00 | |||
| 3634037 | M24128-BWMN6TP |
|
от 3 дней | по запросу | Подробнее | ||||||
| 3641026 | M24256-BRMN6TP |
|
от 3 дней | по запросу | Подробнее | ||||||
| 3629695 | M24512-RMN6TP |
|
от 3 дней | по запросу | Подробнее | ||||||
| 3629722 | M24C01-WMN6TP |
|
от 3 дней | по запросу | Подробнее | ||||||
| 3641783 | M24C02-RMN6TP |
|
от 3 дней | по запросу | Подробнее | ||||||
| 4257926 | M24C02-WDW6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 2К-бит. 400КГц. корпус TSSOP-8 |
|
3-5 дней | ST Microelectronics | 1шт: 10.73 | ||||||
Фильтры