+7 (499) 63-83-123 Контактный телефон
Цена
от
до
Производитель

Примечание: Обращаем ваше внимание на то, что информация, изображения и характеристики несут исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 ГК РФ. Цена приведена как справочная информация и может быть изменена в любое время без предупреждения. Производитель может изменить комплектацию, характеристики и внешний вид товара без предварительного уведомления. Изображения могут отличаться от действительного вида товара. Для получения подробной информации о стоимости, комплектации, сроках и условиях поставки товара просьба обращаться к менеджерам компании.

Сортировать
Показать фильтр
ID Название Производитель Упаковка Срок поставки Описание Единица измерения Количество Цена от, руб. В корзину
4254106 ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) UMW 20 4-6 дней шт 2500.00 1шт: 78.10
4260018 ADM3485EARZ. [SOIC-8]; Transceiver 1/1 RS485 10Mbps SOIC-8_150mil RS-485/RS-422 ICs ROHS;=ADM3485EAR ADM3485EARZ. [SOIC-8]; Transceiver 1/1 RS485 10Mbps SOIC-8_150mil RS-485/RS-422 ICs ROHS;=ADM3485EAR UMW 20 4-6 дней шт 5000.00 1шт: 38.50
4273049 AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 ALLIANCE Mem. 5 4-6 дней шт 20.00 1шт: 759.00
4233158 AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip Microchip 3-5 дней 1шт: 19.24
4233159 AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip Microchip 3-5 дней 1шт: 43.31
4229947 AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8).  1МГц. корпус SOIC-8 Microchip 3-5 дней 1шт: 49.23
4233160 AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip Microchip 3-5 дней 1шт: 37.53
4192523 AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages).   85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 131.93
4192524 AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages).   85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 108.29
4192525 AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes).   85МГц.  корпус SOIC-8(Wide) Dialog Semiconductor 3-5 дней 1шт: 210.38
4199437 AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages).   85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 236.75
4255130 AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire.  250ns Microchip 3-5 дней 1шт: 25.01
4265990 BQ7791500PWR BQ7791500PWR TI 1 4-6 дней шт 5000.00 1шт: 132.00
4258359 BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R INFINEON 2 4-6 дней шт 440.00 1шт: 39.60
4133526 EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 ALTERA 3-5 дней EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. 1шт: 269.04
4244962 EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 ALTERA 3-5 дней EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16. 1шт: 1529.37
4232252 EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 ALTERA 3-5 дней EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. 1шт: 777.97
4134347 EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 ALTERA 3-5 дней EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. 1шт: 220.45
4232468 FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16).  параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 Cypress Semiconductor 3-5 дней FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В. 1шт: 3070.55
4254062 FM24C04B-GTR FM24C04B-GTR CYPRESS 67 4-6 дней шт 1000.00 1шт: 121.00
4233162 FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 181.96
4133528 FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней FM24CL16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B. 1шт: 95.60
4256380 FM24CL16B-GTR. микросхема памяти F-RAM 16кБ I2C 5В SOIC8 FM24CL16B-GTR. микросхема памяти F-RAM  16кБ I2C 5В SOIC8 CYPRESS 10 4-6 дней шт 27.00 1шт: 209.00
4256133 FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C. 1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8 FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C.  1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 94.46
4135749 FM24V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 1 Mбит(128 Kбит x 8). 3.4 МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8 FM24V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 1 Mбит(128 Kбит x 8). 3.4   МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней FM24V10-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ 1 Mбит, 3.4 МГц, шина I2C, корпус SOIC-8. Примечание: 128 Kбитx8. 1шт: 572.95
4135750 FM24W256-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. I2C. 256Кб(32K x 8). 1 МГц. 550 нс. корпус SOIC-8 FM24W256-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. I2C. 256Кб(32K x 8). 1 МГц.  550 нс. корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 249.98
4256447 FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH 256K-BIT SPI Serial EEPROM FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH 256K-BIT SPI Serial EEPROM FUDAN 500 4-6 дней шт 2.00 1шт: 341.00
4269416 FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 RAMTRON 1 4-6 дней шт 2500.00 1шт: 220.00
4266597 FM25CL64B-GTR. Сегнетоэлектрическая память Cypress Semiconductor. SPI. 20МГц. 64Кбит. корпус SOIC-8 FM25CL64B-GTR. Сегнетоэлектрическая память Cypress Semiconductor. SPI. 20МГц. 64Кбит.  корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 98.42
4253214 FM25L16B-GTR FM25L16B-GTR CYPRESS 44 4-6 дней шт 1000.00 1шт: 176.00
4135743 FM25L16B-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит(2K x 8). 20 МГц. корпус SOIC-8 FM25L16B-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит(2K x 8). 20 МГц.   корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней FM25L16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B. 1шт: 216.09
4135744 FM25V02A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256Кбит(32Kбx8). 40 МГц. SPI. корпус SOIC-8 FM25V02A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256Кбит(32Kбx8). 40 МГц.  SPI. корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней FM25V02A-GTR - микросхема памяти FRAM 256 Кб, (32 Kбx8), 3 В, корпус SOIC-8. 1шт: 245.32
4233164 FM25V05-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM25V05-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 427.89
4233165 FM25V10-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM25V10-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 600.35
4269418 FM25V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 40МГц 8SOIC FM25V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 40МГц 8SOIC CYPRESS 10 4-6 дней шт 300.00 1шт: 1023.00
4244963 FM25V20A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. SPI . 2 Мбит(256K x 8). 40МГц. корпус SOIC-8 FM25V20A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. SPI . 2 Мбит(256K x 8).  40МГц. корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней FM25V20A-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 2 Мбит, рабочая температура -40...85 °C, напряжение питания, мин. - 2 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В, корпус SOIC-8. 1шт: 1126.78
4135751 FM25W256-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). 20 МГц. SPI. корпус SOIC-8 FM25W256-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). 20 МГц.  SPI. корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней FM25W256-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В, корпус SOIC-8. 1шт: 399.38
4135752 FM28V020-SGTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). параллельный интерфейс. 140 нс. корпус SOIC-28 FM28V020-SGTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8).  параллельный интерфейс. 140 нс. корпус SOIC-28 Cypress Semiconductor 3-5 дней FM28V020-SGTR - cегнетоэлектрическое ОЗУ FRAM, 256 Кбит, параллельный интерфейс, напряжение 3,3 В, 28 контактов, корпус SOIC T/R. 1шт: 484.96
4256757 HT7530S. [SOT-23]; Monitors Reset Circuits ROHS =REF3030AIDBZ HT7530S. [SOT-23]; Monitors  Reset Circuits ROHS =REF3030AIDBZ UMW 500 4-6 дней шт 2163.00 1шт: 27.50
4260019 L78L05A. [SOIC-8]; Linear Voltage Regulators (LDO) ROHS=LM78L05 (TI);=MC78L05(ON); L78L05=(ST) L78L05A. [SOIC-8]; Linear Voltage Regulators (LDO) ROHS=LM78L05 (TI);=MC78L05(ON); L78L05=(ST) UMW 20 4-6 дней шт 22500.00 1шт: 8.80
4260020 LM193DR. [SOP-8=SOIC8]; Comparators ROHS=LM193DR (TI);=LM193DR(ON) LM193DR. [SOP-8=SOIC8]; Comparators ROHS=LM193DR (TI);=LM193DR(ON) UMW 20 4-6 дней шт 5000.00 1шт: 8.80
4260035 LM317DCYR. [SOT223]; 75dB@(120Hz) 2.2A Adjustable 1.2V~37V Positive 1 Linear Voltage Regulators (LDO LM317DCYR. [SOT223]; 75dB@(120Hz) 2.2A Adjustable 1.2V~37V Positive 1 Linear Voltage Regulators (LDO UMW 20 4-6 дней шт 2500.00 1шт: 20.90
4260036 LM324ADR. [SOP-14]; Operational Amplifier ROHS=LM324ADR (TI);=LM324ADR(ON); LM2904D=(ST) LM324ADR. [SOP-14]; Operational Amplifier ROHS=LM324ADR (TI);=LM324ADR(ON); LM2904D=(ST) UMW 20 4-6 дней шт 5000.00 1шт: 12.10
4260037 LM393ADR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM393ADR (TI);=LM393ADR(ON); LM393DT=(ST) LM393ADR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM393ADR (TI);=LM393ADR(ON); LM393DT=(ST) UMW 20 4-6 дней шт 2500.00 1шт: 6.60
4260520 LM393ADR. компаратор SOP8 (=LM393ADR. LM393ADR. LM393DT) LM393ADR. компаратор SOP8  (=LM393ADR. LM393ADR. LM393DT) UMW 500 4-6 дней шт 2500.00 1шт: 7.70
4254107 LM75BD. [SOP-8]; Temperature Sensors ROHS=LM75BD (TI);=LM75BD(ON) LM75BD. [SOP-8]; Temperature Sensors ROHS=LM75BD (TI);=LM75BD(ON) UMW 20 4-6 дней шт 4000.00 1шт: 71.50
4260038 LMV358IDR. [SOP-8]; Operational Amplifier ROHS=LMV358IDR (TI) LMV358IDR. [SOP-8]; Operational Amplifier ROHS=LMV358IDR (TI) UMW 20 4-6 дней шт 2500.00 1шт: 13.20
3629865 M24512-RMN6P M24512-RMN6P от 3 дней по запросу Подробнее
3629695 M24512-RMN6TP M24512-RMN6TP от 3 дней по запросу Подробнее
4262380 M24512-RMN6TP. память SOIC-8_150mil EEPROM ROHS M24512-RMN6TP. память SOIC-8_150mil EEPROM ROHS STM 30 4-6 дней шт 2500.00 1шт: 74.80
1 2 3 >
Товар добавлен в корзину
Товар добавлен в отложенные