4254106
ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI)
4-6 дней
шт
UMW
2500.00
20
1шт: 71.50
В корзину
4260018
ADM3485EARZ. [SOIC-8]; Transceiver 1/1 RS485 10Mbps SOIC-8_150mil RS-485/RS-422 ICs ROHS;=ADM3485EAR
4-6 дней
шт
UMW
5000.00
20
1шт: 35.20
В корзину
4273049
AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54
4-6 дней
шт
ALLIANCE Mem.
20.00
5
1шт: 803.00
В корзину
4233158
AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip
3-5 дней
Microchip
1шт: 19.24
В корзину
4280918
AT24C08C-SSHM-T
3-5 дней
Microchip
1шт: 57.15
В корзину
4233159
AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip
3-5 дней
Microchip
1шт: 29.59
В корзину
4280362
AT24C64D-SSHM-T
4-6 дней
шт
Microchip
1000.00
100
1шт: 24.20
В корзину
4233160
AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip
3-5 дней
Microchip
1шт: 37.53
В корзину
4282801
AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 78.73
В корзину
4277893
AT25DF321A-SH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI электропитание. 3.3В. 32Мбит 4M x 8. 5нс. корпус SOIC-8
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 108.26
В корзину
4280963
AT25DF321A-SH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. электропитание 3.3В. 32Мбит (4M x 8). 5нс. корпус SOIC-8
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 98.42
В корзину
4282802
AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8
3-5 дней
Dialog Semiconductor
1шт: 57.02
В корзину
4277340
AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8
3-5 дней
Renesas
1шт: 82.08
В корзину
4192523
AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide)
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 131.93
В корзину
4192524
AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow)
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 108.29
В корзину
4281670
AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow)
3-5 дней
Microchip
1шт: 91.52
В корзину
4277901
AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус
3-5 дней
Microchip
1шт: 100.67
В корзину
4192525
AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide)
3-5 дней
Dialog Semiconductor
1шт: 90.98
В корзину
4284922
AT45DB161E-SSHF-B
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 379.79
В корзину
4296222
AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 379.79
В корзину
4277906
AT45DB321E-SHF-T. Флэш-память Adesto Technologies. 32Мбит (528 Кб x 8192). 2.3...3.6В. 85МГц. корпус SOIC-8
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 120.91
В корзину
4199437
AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide)
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 228.33
В корзину
4277621
AT45DB641E-SHN2B-T
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 587.75
В корзину
4280366
AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8
3-5 дней
Adesto Technologies
1шт: 484.71
В корзину
4284473
AT93C46DN-SH-T. EEPROM. 1.8В SPI. 1КБ 1 2МГц SO8
4-6 дней
шт
Microchip
2000.00
40
1шт: 26.40
В корзину
4255130
AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns
3-5 дней
Microchip
1шт: 25.01
В корзину
4265990
BQ7791500PWR
4-6 дней
шт
TI
5000.00
1
1шт: 121.00
В корзину
4258359
BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
4-6 дней
шт
INFINEON
440.00
2
1шт: 37.40
В корзину
4284433
CAT24C256WI-GT3. микросхема памяти EEPROM I2C 256К-бит 400КГц SO8
4-6 дней
шт
ONS
600.00
30
1шт: 63.80
В корзину
4284470
CAT24M01WI-GT3. Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 1МГц SO8
4-6 дней
шт
ONS
200.00
5
1шт: 165.00
В корзину
4277483
CY62128ELL-45SXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 1 Мбит (128Кбx8). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус SOIC-32
3-5 дней
Cypress Semiconductor
CY62128ELL-45SXIT - микросхема памяти SRAM, 1 Мбит, 128 Кбx8 бит, от 4.5 В до 5.5 В, корпус SOIC-32, 32 вывода, 45 нс.
1шт: 465.26
В корзину
4294905
CY62148BLL-70ZI. микросхема памяти SRAM 4M (512K x 8) 32-TSOP II
4-6 дней
шт
CYPRESS
2.00
2
1шт: 1067.00
В корзину
4135747
CY62256NLL-55SNXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 256 Кб(32K x 8). параллельный интерфейс. 55 нс. корпус SOIC-28
3-5 дней
Cypress Semiconductor
CY62256NLL-55SNXIT - микросхема памяти SRAM, корпус SOIC-28, тип памяти RAM, подтип памяти SRAM - Asynchronous, интерфейс Parallel, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 4.5 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В.
1шт: 281.18
В корзину
4278453
DS2431P+T&R. Энергонезависимое ППЗУ 1024-бит. однопроводное. корпус TSOC-6
3-5 дней
Maxim Integrated
1шт: 96.75
В корзину
4280658
DS2505+. TO92-3
4-6 дней
шт
Maxim
50.00
5
1шт: 649.00
В корзину
4279953
DS28EC20+T. Микросхема. EEPROM. 4 V. 5.25 V
4-6 дней
шт
Maxim
200.00
50
1шт: 451.00
В корзину
4285392
DS9034PC+
4-6 дней
шт
Maxim
14.00
5
1шт: 2200.00
В корзину
4133526
EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8
3-5 дней
ALTERA
EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8.
1шт: 326.70
В корзину
4244962
EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16
3-5 дней
ALTERA
EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16.
1шт: 1678.63
В корзину
4232252
EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8
3-5 дней
ALTERA
EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.
1шт: 777.97
В корзину
4253956
EPCS4SI8N. Flash память 4мБит SO-8
4-6 дней
шт
Altera
100.00
3
1шт: 308.00
В корзину
4134347
EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8
3-5 дней
ALTERA
EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.
1шт: 257.90
В корзину
4232468
FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44
3-5 дней
Cypress Semiconductor
FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В.
1шт: 3070.55
В корзину
4254062
FM24C04B-GTR
4-6 дней
шт
CYPRESS
1000.00
67
1шт: 121.00
В корзину
4233162
FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor
3-5 дней
Cypress Semiconductor
1шт: 181.96
В корзину
4275251
FM24C04B-GTR. микросхема памяти FRAM 4кБ I2C 5В SOIC-8
4-6 дней
шт
CYPRESS
2707.00
15
1шт: 165.00
В корзину
4284471
FM24CL04B-GTR. FRAM память 512х8 I2C SO8
4-6 дней
шт
CYPRESS
300.00
10
1шт: 93.50
В корзину
4133528
FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8
3-5 дней
Cypress Semiconductor
FM24CL16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B.
1шт: 80.15
В корзину
4256133
FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C. 1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8
3-5 дней
Cypress Semiconductor
1шт: 96.61
В корзину
4135749
FM24V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 1 Mбит(128 Kбит x 8). 3.4 МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8
3-5 дней
Cypress Semiconductor
FM24V10-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ 1 Mбит, 3.4 МГц, шина I2C, корпус SOIC-8. Примечание: 128 Kбитx8.
1шт: 572.95
В корзину