+7 (499) 63-83-123 Контактный телефон
Цена
от
до
Производитель

Примечание: Обращаем ваше внимание на то, что информация, изображения и характеристики несут исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 ГК РФ. Цена приведена как справочная информация и может быть изменена в любое время без предупреждения. Производитель может изменить комплектацию, характеристики и внешний вид товара без предварительного уведомления. Изображения могут отличаться от действительного вида товара. Для получения подробной информации о стоимости, комплектации, сроках и условиях поставки товара просьба обращаться к менеджерам компании.

Сортировать
Показать фильтр
ID Название Описание Производитель Количество Единица измерения Срок поставки Упаковка Цена от, руб. В корзину
4233158 AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip Microchip 3-5 дней 1шт: 15.43
4233159 AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip Microchip 3-5 дней 1шт: 74.98
4014247 AT24C512C-SSHD-T. микросхема памяти SO8 AT24C512C-SSHD-T. микросхема памяти SO8 Atmel 1000.00 шт 4-6 дней 15 1шт: 165.00
4229947 AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8).  1МГц. корпус SOIC-8 Microchip 3-5 дней 1шт: 137.59
4233160 AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip Microchip 3-5 дней 1шт: 30.11
4231939 AT27C512R-70PU. DIP28 AT27C512R-70PU. DIP28 Microchip 5.00 шт 4-6 дней 14 1шт: 900.79
4192523 AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages).   85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 97.73
4192524 AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages).   85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 86.90
4192525 AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes).   85МГц.  корпус SOIC-8(Wide) Dialog Semiconductor 3-5 дней 1шт: 155.86
4249560 AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память. SPI. 16 Мбит (528 Bytes x 4096 pages). 85МГц [SOIC-8-0.208] AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память. SPI. 16 Мбит (528 Bytes x 4096 pages). 85МГц [SOIC-8-0.208] АDESTO 300.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 341.00
4080758 AT45DB321E-SHF-T. SO8 AT45DB321E-SHF-T. SO8 ADESTO 495.00 шт 4-6 дней 5 1шт: 341.00
4228898 AT45DB641E-SHN-T. 8-SOIC AT45DB641E-SHN-T. 8-SOIC ADESTO 1000.00 шт 4-6 дней 5 1шт: 341.00
4199437 AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages).   85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) Adesto Technologies 3-5 дней 1шт: 407.16
4233161 AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip Microchip 3-5 дней 1шт: 20.08
4232647 BC807-40.215 BC807-40.215 NEX-NXP 3000.00 шт 4-6 дней 200 1шт: 5.50
4135747 CY62256NLL-55SNXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 256 Кб(32K x 8). параллельный интерфейс. 55 нс. корпус SOIC-28 CY62256NLL-55SNXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM -  Asynchronous Memory. 256 Кб(32K x 8). параллельный интерфейс. 55 нс. корпус SOIC-28 CY62256NLL-55SNXIT - микросхема памяти SRAM, корпус SOIC-28, тип памяти RAM, подтип памяти SRAM - Asynchronous, интерфейс Parallel, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 4.5 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В. Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 226.13
4201223 DS9034PCX DS9034PCX Maxim 20.00 шт 4-6 дней 5 1шт: 1903.00
4071022 E28F320J3A-110. микросхема памяти StraraFlash 3В TSOP-56 E28F320J3A-110. микросхема памяти StraraFlash 3В TSOP-56 Intel 10.00 шт 4-6 дней 2 1шт: 792.00
4133526 EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. ALTERA 3-5 дней 1шт: 256.22
4244962 EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16. ALTERA 3-5 дней 1шт: 1300.73
4232252 EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. ALTERA 3-5 дней 1шт: 624.30
4134347 EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. ALTERA 3-5 дней 1шт: 258.56
4230388 FD6288T. Микросхема. Вид монтажа: SMD. Напряжение питания - мин.: 5 V. Напряжение питания - макс.: FD6288T. Микросхема.  Вид монтажа: SMD.  Напряжение питания - мин.: 5 V. Напряжение питания - макс.: fortior 10.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 25.30
4251032 FD6288T. Микросхема. SMD. 20 V. 1.8 A FD6288T. Микросхема. SMD. 20 V. 1.8 A FORTIOR 4.00 шт 4-6 дней 500 1шт: 88.00
4064429 FM11NT081DI FM11NT081DI FUDAN 20.00 шт 4-6 дней 1000 1шт: 3.30
4232468 FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16).  параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В. Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 2464.03
4233162 FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 146.02
4251823 FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor. SOIC-8 FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor. SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 146.02
4083742 FM24C04B-GTR. микросхема памяти FRAM 4кБ I2C 5В SOIC-8 FM24C04B-GTR. микросхема памяти FRAM  4кБ I2C 5В SOIC-8 CYPRESS 100.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 143.00
4083743 FM24C16B-GTR. микросхема памяти F-RAM 16кБ I2C 5В SOIC8 FM24C16B-GTR. микросхема памяти F-RAM  16кБ I2C 5В SOIC8 CYPRESS 150.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 132.00
4247391 FM24CL04B-G. микросхема памяти FRAM 512x8 I2C 5В SOIC-8 FM24CL04B-G. микросхема памяти FRAM 512x8 I2C 5В SOIC-8 Infineon 50.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 176.00
4133528 FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 FM24CL16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B. Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 85.61
4233163 FM24CL64B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM24CL64B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 179.48
4083744 FM24CL64B-GTR. микросхема памяти F-RAM 64кБит 8Кх FM24CL64B-GTR. микросхема памяти F-RAM 64кБит 8Кх CYPRESS 100.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 209.00
4083251 FM24V05-GTR. 8-SOIC. 64Kx8 FM24V05-GTR. 8-SOIC. 64Kx8 CYPRESS 50.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 517.00
4135750 FM24W256-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. I2C. 256Кб(32K x 8). 1 МГц. 550 нс. корпус SOIC-8 FM24W256-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. I2C. 256Кб(32K x 8). 1 МГц.  550 нс. корпус SOIC-8 Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 232.07
4247392 FM25040B-GTR. микросхема памяти 512x8 5В SOIC-8 FM25040B-GTR. микросхема памяти 512x8 5В SOIC-8 Infineon 50.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 154.00
4248167 FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH FUDAN 7.00 шт 4-6 дней 2222 1шт: 27.50
4250016 FM25512-SO-T-G FM25512-SO-T-G FUDAN 100.00 шт 4-6 дней 222 1шт: 8.80
4231698 FM25640B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ SPI 5В SO8 FM25640B-GTR. микросхема памяти  FRAM 64кБ SPI 5В SO8 CYPRESS 200.00 шт 4-6 дней 3 1шт: 396.00
3803724 FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ  20МГц  SOIC8 RAMTRON 200.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 143.00
4135743 FM25L16B-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит(2K x 8). 20 МГц. корпус SOIC-8 FM25L16B-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит(2K x 8). 20 МГц.   корпус SOIC-8 FM25L16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B. Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 160.06
4247394 FM25V02A-GTR. микросхема памяти FRAM 32Kx8 3В SOIC-8 FM25V02A-GTR. микросхема памяти FRAM 32Kx8 3В SOIC-8 Infineon 100.00 шт 4-6 дней 50 1шт: 418.00
4135744 FM25V02A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256Кбит(32Kбx8). 40 МГц. SPI. корпус SOIC-8 FM25V02A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256Кбит(32Kбx8). 40 МГц.  SPI. корпус SOIC-8 FM25V02A-GTR - микросхема памяти FRAM 256 Кб, (32 Kбx8), 3 В, корпус SOIC-8. Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 317.30
3445321 FM25V05-GTR. микросхема памяти 64Кх8 SO8 FM25V05-GTR. микросхема памяти 64Кх8 SO8 Cypress Semiconductor 11.00 шт 4-6 дней 3 1шт: 1320.00
4233164 FM25V05-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM25V05-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 707.27
4244963 FM25V20A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. SPI . 2 Мбит(256K x 8). 40МГц. корпус SOIC-8 FM25V20A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. SPI . 2 Мбит(256K x 8).  40МГц. корпус SOIC-8 FM25V20A-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 2 Мбит, рабочая температура -40...85 °C, напряжение питания, мин. - 2 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В, корпус SOIC-8. Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 2437.01
4135751 FM25W256-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). 20 МГц. SPI. корпус SOIC-8 FM25W256-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). 20 МГц.  SPI. корпус SOIC-8 FM25W256-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В, корпус SOIC-8. Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 227.14
4135752 FM28V020-SGTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). параллельный интерфейс. 140 нс. корпус SOIC-28 FM28V020-SGTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8).  параллельный интерфейс. 140 нс. корпус SOIC-28 FM28V020-SGTR - cегнетоэлектрическое ОЗУ FRAM, 256 Кбит, параллельный интерфейс, напряжение 3,3 В, 28 контактов, корпус SOIC T/R. Cypress Semiconductor 3-5 дней 1шт: 317.24
4234688 HT7530S. [SOT-23]; Monitors & Reset Circuits ROHS аналог REF3030AIDBZ HT7530S. [SOT-23]; Monitors & Reset Circuits ROHS аналог REF3030AIDBZ UMW 3000.00 шт 4-6 дней 10 1шт: 17.60
1 2 3 >
Товар добавлен в корзину
Товар добавлен в отложенные