4300934 |
AD820ARZ-REEL. SOT23-3 |
|
4-6 дней |
AD |
|
шт |
1000.00 |
10 |
1шт: 495.00
|
|
|
4254106 |
ADM3232EARNZ. [SOP-16]; RS232 ICs ROHS;=ADM3232EARNZ(ADI) |
|
4-6 дней |
UMW |
|
шт |
2500.00 |
20 |
1шт: 74.80
|
|
|
4273049 |
AS4C16M16SA-6TIN. микросхема памяти SDRAM 256мБT 166МГц TSOP54 |
|
4-6 дней |
ALLIANCE Mem. |
|
шт |
20.00 |
5 |
1шт: 803.00
|
|
|
4297431 |
AS7C34098A-10TIN. память SRAM. 4Mb. 256Kx16. 3.3В 44-TSOPII (10.2x18.4) |
|
4-6 дней |
ALLIANCE Mem. |
|
шт |
50.00 |
2 |
1шт: 1210.00
|
|
|
4317584 |
AT24C04C-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C04C-SSHM-T |
|
3-5 дней |
Microchip |
|
|
|
|
1шт: 13.70
|
|
|
4280918 |
AT24C08C-SSHM-T |
|
3-5 дней |
Microchip |
|
|
|
|
1шт: 50.29
|
|
|
4312362 |
AT24C08C-SSHM-T AT24C08C-SSHM-T |
|
3-5 дней |
Microchip |
|
|
|
|
1шт: 50.29
|
|
|
4307296 |
AT24C16C-SSHM-T |
|
4-6 дней |
Microchip |
|
шт |
300.00 |
100 |
1шт: 19.80
|
|
|
4317585 |
AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти Microchip AT24C256C-SSHL-T |
|
3-5 дней |
Microchip |
|
|
|
|
1шт: 28.31
|
|
|
4297432 |
AT24C256C-SSHL-T. микросхема памяти SOIC8 |
|
4-6 дней |
Atmel |
|
шт |
1000.00 |
20 |
1шт: 56.10
|
|
|
4317586 |
AT24C512C-SSHD-T. Последовательная энергонезависимая память Microchip. 512Кб (64K X 8). 1МГц. корпус SOIC-8 AT24C512C-SSHD-T |
|
3-5 дней |
Microchip |
|
|
|
|
1шт: 37.85
|
|
|
4280362 |
AT24C64D-SSHM-T |
|
4-6 дней |
Microchip |
|
шт |
1000.00 |
100 |
1шт: 24.20
|
|
|
4308059 |
AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти 64кБ SO-8 |
|
4-6 дней |
Microchip |
|
шт |
20.00 |
100 |
1шт: 25.30
|
|
|
4317587 |
AT24C64D-SSHM-T. микросхема памяти Microchip AT24C64D-SSHM-T |
|
3-5 дней |
Microchip |
|
|
|
|
1шт: 33.03
|
|
|
4309284 |
AT25256B-SSHL-T |
|
|
Microchip Technology |
|
|
|
|
1шт: 90.89
|
|
|
4282801 |
AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 69.28
|
|
|
4311754 |
AT25DF081A-SSH-T. Флэш-память Adesto Technologies. шина SPI. 100МГц. электропитание 2.7- 3.6В. 8Мбит (256 Bytes x 4096 pages). корпус SOIC-8 AT25DF081A-SSH-T |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 69.28
|
|
|
4282802 |
AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней |
Dialog Semiconductor |
|
|
|
|
1шт: 50.18
|
|
|
4311755 |
AT25SF041B-SSHB-B. Флэш-память NOR Renesas(Dialog). шина SPI. 4Мбит(512K x 8). 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF041B-SSHB-B |
|
3-5 дней |
Dialog Semiconductor |
|
|
|
|
1шт: 50.18
|
|
|
4284472 |
AT25SF161B-SSHB-T. Flash память NOR 16Мбит шина SPI 2xSPI 4xSPISO8 |
|
4-6 дней |
Adesto |
|
шт |
500.00 |
20 |
1шт: 86.90
|
|
|
4277340 |
AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней |
Renesas |
|
|
|
|
1шт: 72.23
|
|
|
4311756 |
AT25SF161B-SSHD-T. Флэш-память Renesas(Dialog). шина SPI. 16Мбит. 108 МГц. корпус SOIC-8 AT25SF161B-SSHD-T |
|
3-5 дней |
Renesas |
|
|
|
|
1шт: 72.23
|
|
|
4300051 |
AT29C512-70PI. флэш-память 512К 5В. DIP32-600 |
|
4-6 дней |
Atmel |
|
шт |
180.00 |
10 |
1шт: 484.00
|
|
|
4317588 |
AT45DB041E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB041E-SHN-T |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 116.10
|
|
|
4317589 |
AT45DB041E-SSHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 4 Мбит (264 Bytes x 2048 pages). 85МГц. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB041E-SSHN-T |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 30.78
|
|
|
4281670 |
AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow) |
|
3-5 дней |
Microchip |
|
|
|
|
1шт: 49.61
|
|
|
4311768 |
AT45DB081E-SSHN-T. Флэш-память 8-Mбит (расширенная -256-Kбит) Microchip . электропитание 1.7В шина SPI. корпус SOIC-8(Narrow) AT45DB081E-SSHN-T |
|
3-5 дней |
Microchip |
|
|
|
|
1шт: 49.61
|
|
|
4317590 |
AT45DB161E-SHD-T. Флэш-память Dialog Semiconductor. 16M (4096 pages x 528 bytes). 85МГц. корпус SOIC-8(Wide) AT45DB161E-SHD-T |
|
3-5 дней |
Dialog Semiconductor |
|
|
|
|
1шт: 81.36
|
|
|
4296222 |
AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 334.22
|
|
|
4311769 |
AT45DB161E-SSHF-B. Флэш-память Adesto Technologies. 16Mбит. 85МГц.SPI. корпус SOIC-8 AT45DB161E-SSHF-B |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 334.22
|
|
|
4277906 |
AT45DB321E-SHF-T. Флэш-память Adesto Technologies. 32Мбит (528 Кб x 8192). 2.3...3.6В. 85МГц. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 89.30
|
|
|
4311770 |
AT45DB321E-SHF-T. Флэш-память Adesto Technologies. 32Мбит (528 Кб x 8192). 2.3...3.6В. 85МГц. корпус SOIC-8 AT45DB321E-SHF-T |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 89.30
|
|
|
4317591 |
AT45DB641E-SHN-T. Флэш-память Adesto Technologies. SPI. 64 Мбит (264 Bytes x 32K pages). 85МГц. корпус SOIC-8 (Wide) AT45DB641E-SHN-T |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 180.81
|
|
|
4280366 |
AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 426.55
|
|
|
4311771 |
AT45DB641E-SHN2B-T. Флэш-память Adesto Technologies. 64Mбит. корпус SOIC-8 AT45DB641E-SHN2B-T |
|
3-5 дней |
Adesto Technologies |
|
|
|
|
1шт: 426.55
|
|
|
4284473 |
AT93C46DN-SH-T. EEPROM. 1.8В SPI. 1КБ 1 2МГц SO8 |
|
4-6 дней |
Microchip |
|
шт |
2000.00 |
40 |
1шт: 27.50
|
|
|
4317607 |
AT93C66B-SSHM-T. микросхема памяти Microchip. SOIC-8 Narrow (SMD). 3-Wire. Microwire. 250ns AT93C66B-SSHM-T |
|
3-5 дней |
Microchip |
|
|
|
|
1шт: 22.01
|
|
|
4265990 |
BQ7791500PWR |
|
4-6 дней |
TI |
|
шт |
5000.00 |
1 |
1шт: 108.90
|
|
|
4306303 |
BQ7791500PWR. микросхема защиты аккумуляторной батареиTSSOP-24 |
|
4-6 дней |
TI |
|
шт |
4841.00 |
2 |
1шт: 121.00
|
|
|
4258359 |
BSS138NH6327XTSA2. Trans MOSFET N-CH 60V 0.23A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
|
4-6 дней |
INFINEON |
|
шт |
440.00 |
2 |
1шт: 36.30
|
|
|
4284433 |
CAT24C256WI-GT3. микросхема памяти EEPROM I2C 256К-бит 400КГц SO8 |
|
4-6 дней |
ONS |
|
шт |
600.00 |
30 |
1шт: 69.30
|
|
|
4317640 |
CY62128ELL-45SXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 1 Мбит (128Кбx8). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус SOIC-32 CY62128ELL-45SXIT |
|
3-5 дней |
Cypress Semiconductor |
CY62128ELL-45SXIT - микросхема памяти SRAM, 1 Мбит, 128 Кбx8 бит, от 4.5 В до 5.5 В, корпус SOIC-32, 32 вывода, 45 нс. |
|
|
|
1шт: 409.43
|
|
|
4308884 |
CY62167EV30LL-45ZXI. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 16MB(2Mx8. 1Mx16). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус TSOP-1-48 |
|
3-5 дней |
Cypress Semiconductor |
|
|
|
|
1шт: 917.80
|
|
|
4311582 |
CY62167EV30LL-45ZXI. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 16MB(2Mx8. 1Mx16). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус TSOP-1-48 CY62167EV30LL-45ZXI |
|
3-5 дней |
Cypress Semiconductor |
|
|
|
|
1шт: 917.80
|
|
|
4279953 |
DS28EC20+T. Микросхема. EEPROM. 4 V. 5.25 V |
|
4-6 дней |
Maxim |
|
шт |
200.00 |
50 |
1шт: 473.00
|
|
|
4317654 |
EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 EPCQ4ASI8N |
|
3-5 дней |
ALTERA |
EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. |
|
|
|
1шт: 287.50
|
|
|
4317655 |
EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 EPCQ64ASI16N |
|
3-5 дней |
ALTERA |
EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16. |
|
|
|
1шт: 1477.19
|
|
|
4317656 |
EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS16SI8N |
|
3-5 дней |
ALTERA |
EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. |
|
|
|
1шт: 684.61
|
|
|
4317657 |
EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS4SI8N |
|
3-5 дней |
ALTERA |
EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. |
|
|
|
1шт: 260.41
|
|
|
4309634 |
FM11NT081DI-DNC-T-G |
|
4-6 дней |
FUDAN |
|
шт |
50.00 |
100 |
1шт: 50.60
|
|
|