+7 (499) 63-83-123 Контактный телефон
Цена
от
до
Производитель

Примечание: Обращаем ваше внимание на то, что информация, изображения и характеристики несут исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой, определяемой положениями Статьи 437 ГК РФ. Цена приведена как справочная информация и может быть изменена в любое время без предупреждения. Производитель может изменить комплектацию, характеристики и внешний вид товара без предварительного уведомления. Изображения могут отличаться от действительного вида товара. Для получения подробной информации о стоимости, комплектации, сроках и условиях поставки товара просьба обращаться к менеджерам компании.

Сортировать
Показать фильтр
ID Название Описание Производитель Упаковка Единица измерения Количество Срок поставки Цена от, руб. В корзину
4327096 IS42S16160G-7TLI-TR. микросхема памяти DRAM 256M 16Mx16 143МГц SDRAM 3.3В TSOP-54 II IS42S16160G-7TLI-TR. микросхема памяти DRAM 256M 16Mx16 143МГц SDRAM 3.3В TSOP-54 II ISSI 3 шт 100.00 4-6 дней 1шт: 517.00
4297838 IS42S16400J-7TLI-TR. Синхронная динамическая память с произвольным доступом Integrated Silicon Solution Inc. 64Мбит (4Mx16). 5.4нс. 143 МГц. параллельный интерфейс. корпус TSOP-54 IS42S16400J-7TLI-TR. Синхронная динамическая память с произвольным доступом Integrated  Silicon Solution Inc. 64Мбит (4Mx16). 5.4нс. 143 МГц. параллельный интерфейс. корпус TSOP-54 ISSI 3-5 дней 1шт: 180.42
4311848 IS42S16400J-7TLI-TR. Синхронная динамическая память с произвольным доступом Integrated Silicon Solution Inc. 64Мбит (4Mx16). 5.4нс. 143 МГц. параллельный интерфейс. корпус TSOP-54 IS42S16400J-7TLI-TR IS42S16400J-7TLI-TR. Синхронная динамическая память с произвольным доступом Integrated  Silicon Solution Inc. 64Мбит (4Mx16). 5.4нс. 143 МГц. параллельный интерфейс. корпус TSOP-54 IS42S16400J-7TLI-TR ISSI 3-5 дней 1шт: 170.40
4311586 IS61WV102416BLL-10TLI. Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc. 16Мбит(1Mx16). 10нс. параллельный интерфейс. корпус TSOP-48 IS61WV102416BLL-10TLI IS61WV102416BLL-10TLI. Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc.  16Мбит(1Mx16). 10нс. параллельный интерфейс. корпус TSOP-48 IS61WV102416BLL-10TLI ISSI 3-5 дней 1шт: 1065.40
4285557 IS61WV51216BLL-10TLI. Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc. 8Мбит (512Kx16). 10нс. параллельный интерфейс. корпус TSOP-44 IS61WV51216BLL-10TLI. Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc.  8Мбит (512Kx16). 10нс. параллельный интерфейс. корпус TSOP-44 ISSI 3-5 дней 1шт: 1044.83
4311587 IS61WV51216BLL-10TLI. Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc. 8Мбит (512Kx16). 10нс. параллельный интерфейс. корпус TSOP-44 IS61WV51216BLL-10TLI IS61WV51216BLL-10TLI. Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc.  8Мбит (512Kx16). 10нс. параллельный интерфейс. корпус TSOP-44 IS61WV51216BLL-10TLI ISSI 3-5 дней 1шт: 987.00
4331740 KSZ8051MNL KSZ8051MNL Micrel 1шт: 907.16
4260019 L78L05A. [SOIC-8]; Linear Voltage Regulators (LDO) ROHS=LM78L05 (TI);=MC78L05(ON); L78L05=(ST) L78L05A. [SOIC-8]; Linear Voltage Regulators (LDO) ROHS=LM78L05 (TI);=MC78L05(ON); L78L05=(ST) UMW 20 шт 22500.00 4-6 дней 1шт: 7.70
4260020 LM193DR. [SOP-8=SOIC8]; Comparators ROHS=LM193DR (TI);=LM193DR(ON) LM193DR. [SOP-8=SOIC8]; Comparators ROHS=LM193DR (TI);=LM193DR(ON) UMW 20 шт 5000.00 4-6 дней 1шт: 5.50
4260021 LM2904DR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM2904DR (TI);=LM2904DR(ON); LM2904D=(ST) LM2904DR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM2904DR (TI);=LM2904DR(ON); LM2904D=(ST) UMW 20 шт 5000.00 4-6 дней 1шт: 5.50
4260035 LM317DCYR. [SOT223]; 75dB@(120Hz) 2.2A Adjustable 1.2V~37V Positive 1 Linear Voltage Regulators (LDO LM317DCYR. [SOT223]; 75dB@(120Hz) 2.2A Adjustable 1.2V~37V Positive 1 Linear Voltage Regulators (LDO UMW 20 шт 2500.00 4-6 дней 1шт: 20.90
4260036 LM324ADR. [SOP-14]; Operational Amplifier ROHS=LM324ADR (TI);=LM324ADR(ON); LM2904D=(ST) LM324ADR. [SOP-14]; Operational Amplifier ROHS=LM324ADR (TI);=LM324ADR(ON); LM2904D=(ST) UMW 20 шт 5000.00 4-6 дней 1шт: 11.00
4260005 LM358ADR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM358ADR (TI);=LM358ADR(ON); LM358DT=(ST) LM358ADR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM358ADR (TI);=LM358ADR(ON); LM358DT=(ST) UMW 20 шт 5000.00 4-6 дней 1шт: 4.40
4260520 LM393ADR. компаратор SOP8 (=LM393ADR. LM393ADR. LM393DT) LM393ADR. компаратор SOP8  (=LM393ADR. LM393ADR. LM393DT) UMW 500 шт 2500.00 4-6 дней 1шт: 6.60
4254107 LM75BD. [SOP-8]; Temperature Sensors ROHS=LM75BD (TI);=LM75BD(ON) LM75BD. [SOP-8]; Temperature Sensors ROHS=LM75BD (TI);=LM75BD(ON) UMW 20 шт 4000.00 4-6 дней 1шт: 44.00
4275263 LM78L05F. LDO регулятор напряжения 5В 0.1А SOT-89 LM78L05F. LDO регулятор напряжения 5В 0.1А   SOT-89 HTC Taejin 40 шт 3000.00 4-6 дней 1шт: 23.10
4275262 LM78L12F. LDO регулятор напряжения 12В 0.1А SOT-89 LM78L12F. LDO регулятор напряжения 12В 0.1А   SOT-89 HTC Taejin 30 шт 3000.00 4-6 дней 1шт: 28.60
4260038 LMV358IDR. [SOP-8]; Operational Amplifier ROHS=LMV358IDR (TI) LMV358IDR. [SOP-8]; Operational Amplifier ROHS=LMV358IDR (TI) UMW 20 шт 2500.00 4-6 дней 1шт: 4.40
4330220 M24256-BRMN6TP. Микросхема памяти EEPROM 256КБИТ I2C 1МГц SO8 M24256-BRMN6TP. Микросхема памяти EEPROM 256КБИТ I2C 1МГц SO8 STM 20 шт 1000.00 4-6 дней 1шт: 27.50
4280375 M24256-BRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 256К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 M24256-BRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 256К-бит. 1МГц. корпус  SOIC-8 ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 18.76
4311986 M24256-BRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 256К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 M24256-BRMN6TP M24256-BRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 256К-бит. 1МГц. корпус  SOIC-8 M24256-BRMN6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 15.49
4262380 M24512-RMN6TP. память SOIC-8_150mil EEPROM ROHS M24512-RMN6TP. память SOIC-8_150mil EEPROM ROHS STM 30 шт 2500.00 4-6 дней 1шт: 55.00
4280376 M24512-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 512К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 M24512-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 512К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 21.44
4311987 M24512-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 512К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 M24512-RMN6TP M24512-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 512К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 M24512-RMN6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 19.95
3633470 M24512-WMN6P M24512-WMN6P от 3 дней по запросу Подробнее
4297433 M24512-WMN6TP. EEPROM память 512Kb / 256Kb Ser SO8 M24512-WMN6TP. EEPROM память 512Kb / 256Kb Ser  SO8 STM 12 шт 500.00 4-6 дней 1шт: 66.00
4278839 M24C02-RMN6TP M24C02-RMN6TP STM 500 шт 300.00 4-6 дней 1шт: 9.90
4306306 M24C02-RMN6TP. микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2к SO8 M24C02-RMN6TP. микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2к SO8 STM 500 шт 318.00 4-6 дней 1шт: 9.90
4257926 M24C02-WDW6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 2К-бит. 400КГц. корпус TSSOP-8 M24C02-WDW6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 2К-бит. 400КГц. корпус  TSSOP-8 ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 10.34
4311988 M24C02-WDW6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 2К-бит. 400КГц. корпус TSSOP-8 M24C02-WDW6TP M24C02-WDW6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 2К-бит. 400КГц. корпус  TSSOP-8 M24C02-WDW6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 9.19
4257927 M24C02-WMN6TP. Микросхема памяти ST Microelectronics. EEPROM. I2C. 2K-bit (256 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 M24C02-WMN6TP. Микросхема памяти ST Microelectronics. EEPROM. I2C. 2K-bit (256 x 8).  400кГц. корпус SOIC-8 ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 6.54
4311989 M24C02-WMN6TP. Микросхема памяти ST Microelectronics. EEPROM. I2C. 2K-bit (256 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 M24C02-WMN6TP M24C02-WMN6TP. Микросхема памяти ST Microelectronics. EEPROM. I2C. 2K-bit (256 x 8).  400кГц. корпус SOIC-8 M24C02-WMN6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 6.54
4259717 M24C04-WMN6TP. Микросхема памяти. EEPROM. I2C. 4K-bit (512 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 M24C04-WMN6TP. Микросхема памяти. EEPROM. I2C. 4K-bit (512 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 7.80
4311990 M24C04-WMN6TP. Микросхема памяти. EEPROM. I2C. 4K-bit (512 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 M24C04-WMN6TP M24C04-WMN6TP. Микросхема памяти. EEPROM. I2C. 4K-bit (512 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 M24C04-WMN6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 6.94
3633715 M24C08-WMN6P M24C08-WMN6P от 3 дней по запросу Подробнее
4257928 M24C16-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 16K-бит. 2K x 8 2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 M24C16-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 16K-бит. 2K x 8  2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 12.70
4311991 M24C16-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 16K-бит. 2K x 8 2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 M24C16-RMN6TP M24C16-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 16K-бит. 2K x 8  2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 M24C16-RMN6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 11.21
3635092 M24C32-RMN6P M24C32-RMN6P от 3 дней по запросу Подробнее
3636949 M24C32-WMN6P M24C32-WMN6P от 3 дней по запросу Подробнее
4280153 M24C64-FMC6TG. EPROM память I2C 64Kbit 8K x 8 UFDFPN-8 M24C64-FMC6TG. EPROM память I2C 64Kbit 8K x 8  UFDFPN-8 STM 30 шт 500.00 4-6 дней 1шт: 35.20
4311992 M24C64-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 64К-бит. 400КГц. корпус SOIC-8 M24C64-RMN6TP M24C64-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 64К-бит. 400КГц. корпус  SOIC-8 M24C64-RMN6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 6.65
4251822 M24C64-WMN6TP. микросхема памяти ST Microelectronics. SOIC-8 M24C64-WMN6TP. микросхема памяти ST Microelectronics. SOIC-8 ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 23.72
4311993 M24C64-WMN6TP. микросхема памяти ST Microelectronics. SOIC-8 M24C64-WMN6TP M24C64-WMN6TP. микросхема памяти ST Microelectronics. SOIC-8 M24C64-WMN6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 11.40
4277918 M24M01-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 1МБит 128К x 8. 2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 M24M01-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 1МБит 128К x 8.  2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 42.18
4311994 M24M01-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 1МБит 128К x 8. 2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 M24M01-RMN6TP M24M01-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 1МБит 128К x 8.  2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 M24M01-RMN6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 34.73
4297434 M24M02-DRMN6TP. микросхема памяти EEPROM I2C 2Mbit SO8 M24M02-DRMN6TP. микросхема памяти EEPROM I2C 2Mbit SO8 STM 5 шт 250.00 4-6 дней 1шт: 121.00
4280246 M24M02-DRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 2 Мбит. корпус SOIC-8 M24M02-DRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 2 Мбит. корпус  SOIC-8 ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 90.15
4311995 M24M02-DRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 2 Мбит. корпус SOIC-8 M24M02-DRMN6TP M24M02-DRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 2 Мбит. корпус  SOIC-8 M24M02-DRMN6TP ST Microelectronics 3-5 дней 1шт: 80.14
4317842 M25P16-VMN6TP. Флэш-память Micron Technology. 16 Mбит(2M x 8). SPI. 75 МГц. корпус SOIC-8 M25P16-VMN6TP M25P16-VMN6TP. Флэш-память Micron Technology. 16 Mбит(2M x 8). SPI. 75 МГц. корпус SOIC-8 M25P16-VMN6TP M25P16-VMN6TP - флэш-память 16 Mбит, электропитание 2.7-3.6 В, шина SPI, 75 МГц, корпус SOIC-8. Micron Technology 3-5 дней 1шт: 142.96
4324185 M27C1001-10F1. микросхема памяти CDIP32 M27C1001-10F1. микросхема памяти CDIP32 STM 10 шт 600.00 4-6 дней 1шт: 473.00
< 1 2 3 4 5 6 >
Товар добавлен в корзину
Товар добавлен в отложенные