4327096 |
IS42S16160G-7TLI-TR. микросхема памяти DRAM 256M 16Mx16 143МГц SDRAM 3.3В TSOP-54 II |
|
|
ISSI |
3 |
шт |
100.00 |
4-6 дней |
1шт: 517.00
|
|
|
4297838 |
IS42S16400J-7TLI-TR. Синхронная динамическая память с произвольным доступом Integrated Silicon Solution Inc. 64Мбит (4Mx16). 5.4нс. 143 МГц. параллельный интерфейс. корпус TSOP-54 |
|
|
ISSI |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 180.42
|
|
|
4311848 |
IS42S16400J-7TLI-TR. Синхронная динамическая память с произвольным доступом Integrated Silicon Solution Inc. 64Мбит (4Mx16). 5.4нс. 143 МГц. параллельный интерфейс. корпус TSOP-54 IS42S16400J-7TLI-TR |
|
|
ISSI |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 170.40
|
|
|
4311586 |
IS61WV102416BLL-10TLI. Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc. 16Мбит(1Mx16). 10нс. параллельный интерфейс. корпус TSOP-48 IS61WV102416BLL-10TLI |
|
|
ISSI |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 1065.40
|
|
|
4285557 |
IS61WV51216BLL-10TLI. Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc. 8Мбит (512Kx16). 10нс. параллельный интерфейс. корпус TSOP-44 |
|
|
ISSI |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 1044.83
|
|
|
4311587 |
IS61WV51216BLL-10TLI. Асинхронная статическая память Integrated Silicon Solution Inc. 8Мбит (512Kx16). 10нс. параллельный интерфейс. корпус TSOP-44 IS61WV51216BLL-10TLI |
|
|
ISSI |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 987.00
|
|
|
4331740 |
KSZ8051MNL |
|
|
Micrel |
|
|
|
|
1шт: 907.16
|
|
|
4260019 |
L78L05A. [SOIC-8]; Linear Voltage Regulators (LDO) ROHS=LM78L05 (TI);=MC78L05(ON); L78L05=(ST) |
|
|
UMW |
20 |
шт |
22500.00 |
4-6 дней |
1шт: 7.70
|
|
|
4260020 |
LM193DR. [SOP-8=SOIC8]; Comparators ROHS=LM193DR (TI);=LM193DR(ON) |
|
|
UMW |
20 |
шт |
5000.00 |
4-6 дней |
1шт: 5.50
|
|
|
4260021 |
LM2904DR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM2904DR (TI);=LM2904DR(ON); LM2904D=(ST) |
|
|
UMW |
20 |
шт |
5000.00 |
4-6 дней |
1шт: 5.50
|
|
|
4260035 |
LM317DCYR. [SOT223]; 75dB@(120Hz) 2.2A Adjustable 1.2V~37V Positive 1 Linear Voltage Regulators (LDO |
|
|
UMW |
20 |
шт |
2500.00 |
4-6 дней |
1шт: 20.90
|
|
|
4260036 |
LM324ADR. [SOP-14]; Operational Amplifier ROHS=LM324ADR (TI);=LM324ADR(ON); LM2904D=(ST) |
|
|
UMW |
20 |
шт |
5000.00 |
4-6 дней |
1шт: 11.00
|
|
|
4260005 |
LM358ADR. [SOP-8]; Comparators ROHS=LM358ADR (TI);=LM358ADR(ON); LM358DT=(ST) |
|
|
UMW |
20 |
шт |
5000.00 |
4-6 дней |
1шт: 4.40
|
|
|
4260520 |
LM393ADR. компаратор SOP8 (=LM393ADR. LM393ADR. LM393DT) |
|
|
UMW |
500 |
шт |
2500.00 |
4-6 дней |
1шт: 6.60
|
|
|
4254107 |
LM75BD. [SOP-8]; Temperature Sensors ROHS=LM75BD (TI);=LM75BD(ON) |
|
|
UMW |
20 |
шт |
4000.00 |
4-6 дней |
1шт: 44.00
|
|
|
4275263 |
LM78L05F. LDO регулятор напряжения 5В 0.1А SOT-89 |
|
|
HTC Taejin |
40 |
шт |
3000.00 |
4-6 дней |
1шт: 23.10
|
|
|
4275262 |
LM78L12F. LDO регулятор напряжения 12В 0.1А SOT-89 |
|
|
HTC Taejin |
30 |
шт |
3000.00 |
4-6 дней |
1шт: 28.60
|
|
|
4260038 |
LMV358IDR. [SOP-8]; Operational Amplifier ROHS=LMV358IDR (TI) |
|
|
UMW |
20 |
шт |
2500.00 |
4-6 дней |
1шт: 4.40
|
|
|
4330220 |
M24256-BRMN6TP. Микросхема памяти EEPROM 256КБИТ I2C 1МГц SO8 |
|
|
STM |
20 |
шт |
1000.00 |
4-6 дней |
1шт: 27.50
|
|
|
4280375 |
M24256-BRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 256К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 18.76
|
|
|
4311986 |
M24256-BRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 256К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 M24256-BRMN6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 15.49
|
|
|
4262380 |
M24512-RMN6TP. память SOIC-8_150mil EEPROM ROHS |
|
|
STM |
30 |
шт |
2500.00 |
4-6 дней |
1шт: 55.00
|
|
|
4280376 |
M24512-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 512К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 21.44
|
|
|
4311987 |
M24512-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 512К-бит. 1МГц. корпус SOIC-8 M24512-RMN6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 19.95
|
|
|
3633470 |
M24512-WMN6P |
|
|
|
|
|
|
от 3 дней |
по запросу
|
Подробнее |
4297433 |
M24512-WMN6TP. EEPROM память 512Kb / 256Kb Ser SO8 |
|
|
STM |
12 |
шт |
500.00 |
4-6 дней |
1шт: 66.00
|
|
|
4278839 |
M24C02-RMN6TP |
|
|
STM |
500 |
шт |
300.00 |
4-6 дней |
1шт: 9.90
|
|
|
4306306 |
M24C02-RMN6TP. микросхема памяти EEPROM 1.8-5.5В 2к SO8 |
|
|
STM |
500 |
шт |
318.00 |
4-6 дней |
1шт: 9.90
|
|
|
4257926 |
M24C02-WDW6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 2К-бит. 400КГц. корпус TSSOP-8 |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 10.34
|
|
|
4311988 |
M24C02-WDW6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 2К-бит. 400КГц. корпус TSSOP-8 M24C02-WDW6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 9.19
|
|
|
4257927 |
M24C02-WMN6TP. Микросхема памяти ST Microelectronics. EEPROM. I2C. 2K-bit (256 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 6.54
|
|
|
4311989 |
M24C02-WMN6TP. Микросхема памяти ST Microelectronics. EEPROM. I2C. 2K-bit (256 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 M24C02-WMN6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 6.54
|
|
|
4259717 |
M24C04-WMN6TP. Микросхема памяти. EEPROM. I2C. 4K-bit (512 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 7.80
|
|
|
4311990 |
M24C04-WMN6TP. Микросхема памяти. EEPROM. I2C. 4K-bit (512 x 8). 400кГц. корпус SOIC-8 M24C04-WMN6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 6.94
|
|
|
3633715 |
M24C08-WMN6P |
|
|
|
|
|
|
от 3 дней |
по запросу
|
Подробнее |
4257928 |
M24C16-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 16K-бит. 2K x 8 2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 12.70
|
|
|
4311991 |
M24C16-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 16K-бит. 2K x 8 2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 M24C16-RMN6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 11.21
|
|
|
3635092 |
M24C32-RMN6P |
|
|
|
|
|
|
от 3 дней |
по запросу
|
Подробнее |
3636949 |
M24C32-WMN6P |
|
|
|
|
|
|
от 3 дней |
по запросу
|
Подробнее |
4280153 |
M24C64-FMC6TG. EPROM память I2C 64Kbit 8K x 8 UFDFPN-8 |
|
|
STM |
30 |
шт |
500.00 |
4-6 дней |
1шт: 35.20
|
|
|
4311992 |
M24C64-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. 64К-бит. 400КГц. корпус SOIC-8 M24C64-RMN6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 6.65
|
|
|
4251822 |
M24C64-WMN6TP. микросхема памяти ST Microelectronics. SOIC-8 |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 23.72
|
|
|
4311993 |
M24C64-WMN6TP. микросхема памяти ST Microelectronics. SOIC-8 M24C64-WMN6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 11.40
|
|
|
4277918 |
M24M01-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 1МБит 128К x 8. 2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 42.18
|
|
|
4311994 |
M24M01-RMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 1МБит 128К x 8. 2.5В/3.3В/5В. корпус SOIC-8 M24M01-RMN6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 34.73
|
|
|
4297434 |
M24M02-DRMN6TP. микросхема памяти EEPROM I2C 2Mbit SO8 |
|
|
STM |
5 |
шт |
250.00 |
4-6 дней |
1шт: 121.00
|
|
|
4280246 |
M24M02-DRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 2 Мбит. корпус SOIC-8 |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 90.15
|
|
|
4311995 |
M24M02-DRMN6TP. Энергонезависимое ППЗУ ST Microelectronics. шина I2C. 2 Мбит. корпус SOIC-8 M24M02-DRMN6TP |
|
|
ST Microelectronics |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 80.14
|
|
|
4317842 |
M25P16-VMN6TP. Флэш-память Micron Technology. 16 Mбит(2M x 8). SPI. 75 МГц. корпус SOIC-8 M25P16-VMN6TP |
|
M25P16-VMN6TP - флэш-память 16 Mбит, электропитание 2.7-3.6 В, шина SPI, 75 МГц, корпус SOIC-8. |
Micron Technology |
|
|
|
3-5 дней |
1шт: 142.96
|
|
|
4324185 |
M27C1001-10F1. микросхема памяти CDIP32 |
|
|
STM |
10 |
шт |
600.00 |
4-6 дней |
1шт: 473.00
|
|
|