Сортировать
Показать фильтр
| ID | Название | Единица измерения | Срок поставки | Описание | Количество | Производитель | Упаковка | Цена от, руб. | В корзину | ||
| 4284470 | CAT24M01WI-GT3. Энергонезависимое ППЗУ 1М-бит 1МГц SO8 |
|
шт | 4-6 дней | 200.00 | ONS | 5 | 1шт: 121.00 | |||
| 4317640 | CY62128ELL-45SXIT. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 1 Мбит (128Кбx8). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус SOIC-32 CY62128ELL-45SXIT |
|
3-5 дней | CY62128ELL-45SXIT - микросхема памяти SRAM, 1 Мбит, 128 Кбx8 бит, от 4.5 В до 5.5 В, корпус SOIC-32, 32 вывода, 45 нс. | Cypress Semiconductor | 1шт: 351.75 | |||||
| 4308884 | CY62167EV30LL-45ZXI. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 16MB(2Mx8. 1Mx16). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус TSOP-1-48 |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 917.80 | ||||||
| 4311582 | CY62167EV30LL-45ZXI. Асинхронная статическая память Cypress Semiconductor. SRAM - Asynchronous Memory. 16MB(2Mx8. 1Mx16). параллельный интерфейс. 45 нс. корпус TSOP-1-48 CY62167EV30LL-45ZXI |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 917.80 | ||||||
| 4326509 | CY7C68013A-56LTXC CY7C68013A-56LTXC |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 610.00 | ||||||
| 4334701 | CY7C68013A-56LTXC. Высокоскоростной периферийный контроллер USB Cypress Semiconductor. корпус QFN-56 CY7C68013A-56LTXC |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 563.09 | ||||||
| 4326780 | DS2431P+T&R. Энергонезависимое ППЗУ 1024-бит. однопроводное. корпус TSOC-6 DS2431P+T&R |
|
3-5 дней | Maxim Integrated | 1шт: 95.21 | ||||||
| 4279953 | DS28EC20+T. Микросхема. EEPROM. 4 V. 5.25 V |
|
шт | 4-6 дней | 200.00 | Maxim | 50 | 1шт: 407.00 | |||
| 4317654 | EPCQ4ASI8N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 4 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-8 EPCQ4ASI8N |
|
3-5 дней | EPCQ4ASI8N - микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8. | ALTERA | 1шт: 270.57 | |||||
| 4317655 | EPCQ64ASI16N. микросхема памяти ALTERA. SRAM. 64 Мбит. 100 МГц. -40…+85 °С. 3.3 В. 100 мкА. корпус SOIC-16 EPCQ64ASI16N |
|
3-5 дней | EPCQ64ASI16N - микросхема памяти SRAM 64 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-16. | ALTERA | 1шт: 1508.28 | |||||
| 4317656 | EPCS16SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 16 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS16SI8N |
|
3-5 дней | EPCS16SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | ALTERA | 1шт: 594.29 | |||||
| 4317657 | EPCS4SI8N. последовательная конфигурационная флэш-память ALTERA. 4 Мбит. корпус SOIC-8 EPCS4SI8N |
|
3-5 дней | EPCS4SI8N - последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8. | ALTERA | 1шт: 217.64 | |||||
| 4309634 | FM11NT081DI-DNC-T-G |
|
шт | 4-6 дней | 50.00 | FUDAN | 100 | 1шт: 44.00 | |||
| 4317660 | FM22L16-55-TG. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 4 Мбит(256K x 16). параллельный интерфейс. 55нс. корпус TSOP-44 FM22L16-55-TG |
|
3-5 дней | FM22L16-55-TG - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В. | Cypress Semiconductor | 1шт: 1404.50 | |||||
| 4317661 | FM24C04B-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM24C04B-GTR |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 131.91 | ||||||
| 4275251 | FM24C04B-GTR. микросхема памяти FRAM 4кБ I2C 5В SOIC-8 |
|
шт | 4-6 дней | 2707.00 | CYPRESS | 15 | 1шт: 176.00 | |||
| 4306304 | FM24C04B-GTR. микросхема памяти FRAM 4кБ I2C 5В SOIC-8 |
|
шт | 4-6 дней | 693.00 | CYPRESS | 30 | 1шт: 105.60 | |||
| 4330219 | FM24C64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 1МГц 8SOIC |
|
шт | 4-6 дней | 400.00 | CYPRESS | 10 | 1шт: 132.00 | |||
| 4334389 | FM24C64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 1МГц SOIC8 |
|
шт | 4-6 дней | 400.00 | CYPRESS | 6 | 1шт: 93.50 | |||
| 4317662 | FM24CL16B-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит. 1 МГц. SRL. корпус SOIC-8 FM24CL16B-GTR |
|
3-5 дней | FM24CL16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B. | Cypress Semiconductor | 1шт: 73.17 | |||||
| 4317663 | FM24CL64B-GTR. ферроэлектрическая RAM (FRAM) Cypress Semiconductor. 64Кбит (8К x 8). I2C. 1МГц. 2.7В ... 3.65В. корпус SOIC-8 FM24CL64B-GTR |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 73.89 | ||||||
| 4326511 | FM24V05-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 512 Кбит(64Kбит x 8). 3.4 МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8 FM24V05-GTR |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 363.29 | ||||||
| 4317664 | FM24V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 1 Mбит(128 Kбит x 8). 3.4 МГц. I2C. 130нс. корпус SOIC-8 FM24V10-GTR |
|
3-5 дней | FM24V10-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ 1 Mбит, 3.4 МГц, шина I2C, корпус SOIC-8. Примечание: 128 Kбитx8. | Cypress Semiconductor | 1шт: 410.11 | |||||
| 4317665 | FM24W256-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. I2C. 256Кб(32K x 8). 1 МГц. 550 нс. корпус SOIC-8 FM24W256-GTR |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 175.63 | ||||||
| 4256447 | FM25256-SO-T-G. микросхема памяти FLASH 256K-BIT SPI Serial EEPROM |
|
шт | 4-6 дней | 2.00 | FUDAN | 500 | 1шт: 132.00 | |||
| 4256448 | FM25512-SO-T-G. 64M-BIT SERIAL FLASH MEMORY |
|
шт | 4-6 дней | 21.00 | FUDAN | 1000 | 1шт: 132.00 | |||
| 4275248 | FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 |
|
шт | 4-6 дней | 1900.00 | RAMTRON | 15 | 1шт: 165.00 | |||
| 4269416 | FM25CL64B-GTR. микросхема памяти FRAM 64кБ 20МГц SOIC8 |
|
шт | 4-6 дней | 2500.00 | RAMTRON | 1 | 1шт: 187.00 | |||
| 4311836 | FM25CL64B-GTR. Сегнетоэлектрическая память Cypress Semiconductor. SPI. 20МГц. 64Кбит. корпус SOIC-8 FM25CL64B-GTR |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 70.19 | ||||||
| 4284474 | FM25L04B-GTR. FRAM память 512х8 SO8 |
|
шт | 4-6 дней | 200.00 | CYPRESS | 10 | 1шт: 121.00 | |||
| 4253214 | FM25L16B-GTR |
|
шт | 4-6 дней | 1000.00 | CYPRESS | 44 | 1шт: 154.00 | |||
| 4306305 | FM25L16B-GTR. микросхема памяти 16кБ 20МГц SOIC-8 |
|
шт | 4-6 дней | 451.00 | CYPRESS | 30 | 1шт: 143.00 | |||
| 4317666 | FM25L16B-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 16 Kбит(2K x 8). 20 МГц. корпус SOIC-8 FM25L16B-GTR |
|
3-5 дней | FM25L16B-GTR - энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B. | Cypress Semiconductor | 1шт: 114.01 | |||||
| 4285859 | FM25V02A-GTR. SO8 |
|
шт | 4-6 дней | 967.00 | CYPRESS | 5 | 1шт: 330.00 | |||
| 4317667 | FM25V02A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256Кбит(32Kбx8). 40 МГц. SPI. корпус SOIC-8 FM25V02A-GTR |
|
3-5 дней | FM25V02A-GTR - микросхема памяти FRAM 256 Кб, (32 Kбx8), 3 В, корпус SOIC-8. | Cypress Semiconductor | 1шт: 182.18 | |||||
| 4317668 | FM25V05-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM25V05-GTR |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 245.68 | ||||||
| 4317669 | FM25V10-GTR. микросхема памяти Cypress Semiconductor FM25V10-GTR |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 405.58 | ||||||
| 4269418 | FM25V10-GTR. Сегнетоэлектрическое ОЗУ 1Mбит 40МГц 8SOIC |
|
шт | 4-6 дней | 300.00 | CYPRESS | 10 | 1шт: 605.00 | |||
| 4317670 | FM25V20A-GTR. сегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. SPI . 2 Мбит(256K x 8). 40МГц. корпус SOIC-8 FM25V20A-GTR |
|
3-5 дней | FM25V20A-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 2 Мбит, рабочая температура -40...85 °C, напряжение питания, мин. - 2 В, напряжение питания, макс. - 3.6 В, корпус SOIC-8. | Cypress Semiconductor | 1шт: 753.47 | |||||
| 4317671 | FM25W256-GTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). 20 МГц. SPI. корпус SOIC-8 FM25W256-GTR |
|
3-5 дней | FM25W256-GTR - сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. - 2.7 В, напряжение питания, макс. - 5.5 В, корпус SOIC-8. | Cypress Semiconductor | 1шт: 312.40 | |||||
| 4317672 | FM28V020-SGTR. cегнетоэлектрическое ОЗУ Cypress Semiconductor. 256 Кбит(32K x 8). параллельный интерфейс. 140 нс. корпус SOIC-28 FM28V020-SGTR |
|
3-5 дней | FM28V020-SGTR - cегнетоэлектрическое ОЗУ FRAM, 256 Кбит, параллельный интерфейс, напряжение 3,3 В, 28 контактов, корпус SOIC T/R. | Cypress Semiconductor | 1шт: 385.01 | |||||
| 4326512 | FM31256-GTR. Ферроэлектрическая оперативная память Cypress Semiconductor.256(32K x 8) Кбит. параллельный интерфейс. корпус SOIC-14 FM31256-GTR |
|
3-5 дней | Cypress Semiconductor | 1шт: 576.23 | ||||||
| 4300859 | FM31256-GTR. SO14 |
|
шт | 4-6 дней | 200.00 | CYPRESS | 5 | 1шт: 957.00 | |||
| 4285581 | FM31L278-GTR. F-RAM память 256K с часами RTC. I2C 2.7-3.6В SO14 |
|
шт | 4-6 дней | 100.00 | CYPRESS | 2 | 1шт: 583.00 | |||
| 4297499 | GD25Q16ETIGR. Микросхема памяти 16Mбит. 2.7-3.6В. SOIC8 |
|
шт | 4-6 дней | 300.00 | GigaDevice | 20 | 1шт: 39.60 | |||
| 4294761 | GD25Q21BTIGR. SOIC8 |
|
шт | 4-6 дней | 25.00 | GigaDevice | 135 | 1шт: 55.00 | |||
| 4297500 | GD25WQ16ETIGR. Микросхема памяти NOR. 16Mбит. SOIC8 |
|
шт | 4-6 дней | 200.00 | GigaDevice | 20 | 1шт: 44.00 | |||
| 4297501 | GD25WQ40ETIGR. Микросхема памяти. 4Mбит. SOIC8 |
|
шт | 4-6 дней | 250.00 | GigaDevice | 20 | 1шт: 35.20 | |||
| 4297502 | GD25WQ80ETIGR. Микросхема памяти ИЛИ-НЕ. 8Мбит. 1.65-3.6В. SOIC8 |
|
шт | 4-6 дней | 300.00 | GigaDevice | 30 | 1шт: 28.60 | |||
| 4256757 | HT7530S. [SOT-23]; Monitors Reset Circuits ROHS =REF3030AIDBZ |
|
шт | 4-6 дней | 2163.00 | UMW | 500 | 1шт: 23.10 | |||
Фильтры